[发明专利]带间隔物的切割粘接薄膜在审
| 申请号： | 202111331477.4 | 申请日： | 2021-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114520179A | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 吉田直子;木村雄大;高本尚英;杉村敏正;中浦宏 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C09J7/25 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 间隔 切割 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种带间隔物的切割粘接薄膜，其具备：用于粘接于被粘物的粘接层、在该粘接层的一面重叠的树脂制的间隔层、以及在所述粘接层的另一面重叠且保持所述粘接层及所述间隔层的切割带，
在70℃以上且150℃以下的范围的加热设定温度下的所述间隔层的弯曲刚度为0.1N·mm2以上。
2.根据权利要求1所述的带间隔物的切割粘接薄膜，其中，在70℃以上且150℃以下的范围的加热设定温度下的所述间隔层的弹性模量为2GPa以上且20GPa以下。
3.根据权利要求1或2所述的带间隔物的切割粘接薄膜，其中，所述间隔层的厚度为3μm以上且120μm以下。
4.根据权利要求1或2所述的带间隔物的切割粘接薄膜，其中，所述粘接层的厚度为100μm以上且150μm以下。
5.根据权利要求1或2所述的带间隔物的切割粘接薄膜，其中，所述间隔层的材质为选自由聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚苯并咪唑、聚醚酰亚胺、聚苯硫醚及聚醚醚酮组成的组中的至少1种。
6.根据权利要求1或2所述的带间隔物的切割粘接薄膜，其在制造芯片嵌入型的半导体集成电路时用于嵌入半导体芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
