[发明专利]带间隔物的切割粘接薄膜

说明书

本发明提供一种带间隔物的切割粘接薄膜，其具备：切割带、在该切割带的一面重叠的粘接层、以及在该粘接层上重叠的间隔层，在70℃以上且150℃以下的范围的加热设定温度下的前述间隔层的弯曲刚度为0.1N·mm²以上。

技术领域

本发明涉及在例如制造半导体集成电路时使用的带间隔物的切割粘接薄膜。

背景技术

制造半导体集成电路的方法一般具备：通过高度集成的电子电路在晶圆的单面侧形成电路面的前工序，以及从形成有电路面的晶圆切出芯片并进行组装的后工序。

随着近年来的集成化技术的进一步发展，在后工序中，例如有时会多次重叠NAND型内存芯片来组装半导体集成电路。该情况下，例如制造在控制用的控制器芯片上重叠有多个存储用的NAND芯片的结构的半导体集成电路。该结构的半导体集成电路中，例如在控制用的控制器芯片与离该芯片最近的存储用的NAND芯片之间配置间隔层。

迄今，已知有在如上所述的半导体集成电路的制造中使用的加工用薄膜。此种加工用薄膜根据目的而有各种类型，根据各目的而在上述后工序中使用。

作为加工用薄膜，已知有例如用于将半导体芯片粘贴于被粘物的切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具备：具有基材层和粘合剂层的切割带、以及层叠于该切割带的粘合剂层且用于粘接被粘物的芯片接合层。

另一方面，作为加工用薄膜，已知有一种带间隔物的切割粘接薄膜，其为了将上述间隔层粘接于被粘物而具有：间隔层、用于将该间隔层粘接于被粘物的粘接层、以及重叠于粘接层的切割带。

例如，在半导体集成电路的制造中的后工序中，首先，实施第1工序，其中，作为加工用薄膜，使用具有切割带和芯片接合层的切割芯片接合薄膜，如图1A所示，使用切割芯片接合薄膜将小片化的控制用的控制器芯片w’借助芯片接合层d’固定于被粘物(布线基板Z等)的表面。接着，实施第2工序，其中，作为加工用薄膜，使用具有切割带、粘接层和间隔层的带间隔物的切割粘接薄膜，如图1B所示，使用该薄膜将经小片化的间隔层借助粘接层固定于被粘物(布线基板Z)的表面。接着，实施第3工序，其中，作为加工用薄膜，使用如上所述的切割芯片接合薄膜，如图1C所示，使用切割芯片接合薄膜将经小片化的存储用的NAND芯片w”借助芯片接合层d”固定在间隔层10上，进一步同样地重叠存储用的NAND芯片w”。

经由这些工序来制造如上所述的半导体集成电路。

在此，第2工序中，例如使用具备由薄的硅晶圆形成的间隔层的带间隔物的切割粘接薄膜并实施下述工序：通过刀片切割等对间隔层及粘接层形成沟槽并割断成小片的工序；将粘附有粘接层的状态的经小片化的间隔层自切割带剥离的工序；以及，将粘附有粘接层的状态的间隔层粘接于被粘物(布线基板)的工序。

在这种半导体集成电路的制造方法中，作为第2工序中使用的带间隔物的切割粘接薄膜，已知有具备由金属箔形成的间隔层代替由硅晶圆形成的间隔层的薄膜(例如专利文献1)。

详细而言，专利文献1记载的带间隔物的切割粘接薄膜中的间隔层为轧制钢箔、不锈钢箔等金属箔。

根据专利文献1记载的带间隔物的切割粘接薄膜，由于间隔层不是硅晶圆而是金属箔，因此能够维持稳定的制造供给而不受硅晶圆的供给量不足的影响。此外，由于无需用于减薄硅晶圆的厚度的背面研磨工序，因此能够简化半导体集成电路的制造工序。

然而，为了通过间隔层来确保重叠在间隔层上的存储用的NAND芯片与布线基板之间的电绝缘性，作为间隔层的材质，与导电性的金属相比，具有电绝缘性的树脂更为合适。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-220913号公报

发明内容

发明要解决的问题