[发明专利]半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

第一存储器单元阵列和第二存储器单元阵列，沿第一方向彼此间隔开；

多个列选择晶体管，沿与第一方向交叉的第二方向彼此间隔开，其中，所述多个列选择晶体管位于第一存储器单元阵列与第二存储器单元阵列之间，其中，所述多个列选择晶体管中的至少两个列选择晶体管包括中心栅极图案的相应部分，中心栅极图案在第一存储器单元阵列的中心处与沿第一方向延伸的中心线交叉并且具有闭合的回路形状；以及

第一局部输入/输出线和第二局部输入/输出线，被配置为：基于所述多个列选择晶体管的操作将通过第一存储器单元阵列传输的电位提供给局部感测放大器，

其中，第一局部输入/输出线和第二局部输入/输出线沿第二方向延伸并且电连接到中心栅极图案，

其中，在平面图中，所述中心线与第一局部输入/输出线和第二局部输入/输出线间隔开，并且所述中心线不与第一局部输入/输出线和第二局部输入/输出线交叉。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，在平面图中，所述中心线不与未存储数据的虚设单元重叠。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，第一存储器单元阵列不包括虚设单元。

4.根据权利要求1至权利要求3中的任意一项所述的半导体存储器装置，

其中，所述多个列选择晶体管包括多个中心列选择晶体管，

其中，所述多个中心列选择晶体管包括中心栅极图案的相应部分。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述中心列选择晶体管被配置为响应于来自中心栅极图案的栅极信号而导通。

6.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，还包括：

多条位线中的第一外位线，其中，第一外位线在第一存储器单元阵列上方沿第一方向延伸，并且是所述多条位线中在第二方向上距所述中心线最远的位线；以及

所述多条位线中的第二外位线，其中，第二外位线在第一存储器单元阵列上方沿第一方向延伸，并且是所述多条位线中在第二方向上距所述第一外位线最远的位线，

其中，所述多个中心列选择晶体管还包括第一外列选择晶体管和第二外列选择晶体管，第一外列选择晶体管被配置为控制第一外位线与局部感测放大器之间的电位，第二外列选择晶体管被配置为控制第二外位线与局部感测放大器之间的电位。

7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，第一外列选择晶体管和第二外列选择晶体管被配置为：在中心列选择晶体管导通并且向局部感测放大器提供电位时，向局部感测放大器提供电位。

8.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，

其中，所述多个中心列选择晶体管包括第一中心列选择晶体管和第二中心列选择晶体管，第一中心列选择晶体管电连接到第一局部输入/输出线，第二中心列选择晶体管电连接到第二局部输入/输出线，

其中，第一中心列选择晶体管和第二中心列选择晶体管被设置为相对于所述中心线彼此相对。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个列选择晶体管中的至少两个列选择晶体管包括具有与中心栅极图案相同的闭合的回路形状并且与中心栅极图案相邻的相应的邻近栅极图案的部分。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，

其中，所述多个列选择晶体管包括相应的邻近列选择晶体管，相应的邻近列选择晶体管包括相应的邻近栅极图案的部分，

其中，邻近栅极图案和中心栅极图案被配置为选择性地接收栅极信号。