[发明专利]半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统

说明书

公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：第一存储器单元阵列和第二存储器单元阵列，沿第一方向彼此间隔开；多个列选择晶体管，在第一存储器单元阵列与第二存储器单元阵列之间沿与第一方向交叉的第二方向彼此间隔开，所述多个列选择晶体管中的至少两个列选择晶体管包括中心栅极图案的相应部分，中心栅极图案在第一存储器单元阵列的中心处与沿第一方向延伸的中心线交叉并且具有闭合的回路形状；以及第一局部输入/输出线和第二局部输入/输出线，被配置为：基于列选择晶体管的操作将通过第一存储器单元阵列的电位提供给局部感测放大器。

本申请要求于2021年1月6日提交的第10-2021-0001490号韩国专利申请的优先权以及所获得的所有权益，所述韩国专利申请的公开通过引用全部包括于此。

技术领域

本公开涉及半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。

背景技术

随着电子工业的最新发展，对高功能性、高速和紧凑尺寸的电子部件和元件的需求已经增加。近来，为了提高半导体存储器装置的集成度，存在减小存储器单元区域的尺寸和靠近存储器单元区域的驱动存储器单元的外围电路的尺寸的趋势。还有增加被处理的数据单元的数量以提高处理数据的速度的趋势。

已经提出了这样的方法：在存储器单元区域中设置不存储数据的虚设单元区域，以增大被处理的数据的单位。然而，由于虚设单元的存在，存储器单元区域的尺寸和外围电路的尺寸会增加。

发明内容

本公开的实施例提供一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置能够通过移除由存储器单元区域中的虚设单元占据的区域而提高存储器单元区域的尺寸效率，同时提高处理数据的单位。

本公开的实施例还提供一种能够在提高处理数据的单位的同时提高外围电路的尺寸效率的半导体存储器装置。

然而，本公开的实施例不限于在此阐述的那些实施例。通过参照下面给出的本公开的具体实施方式，对于本公开所属领域的普通技术人员来说，本公开的以上和其他实施例将变得更加清楚。

根据本公开的一些实施例，提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一存储器单元阵列和第二存储器单元阵列，沿第一方向彼此间隔开；多个列选择晶体管，沿与第一方向交叉的第二方向彼此间隔开。所述多个列选择晶体管位于第一存储器单元阵列与第二存储器单元阵列之间，并且所述多个列选择晶体管中的至少两个列选择晶体管包括中心栅极图案的相应部分，中心栅极图案在第一存储器单元阵列的中心处与沿第一方向延伸的中心线交叉并且具有闭合的回路形状。所述半导体装置包括：第一局部输入/输出线和第二局部输入/输出线，被配置为：基于所述多个列选择晶体管的操作将通过第一存储器单元阵列的电位提供给局部感测放大器。第一局部输入/输出线和第二局部输入/输出线沿第二方向延伸并且电连接到中心栅极图案。在平面图中，所述中心线与第一局部输入/输出线和第二局部输入/输出线间隔开，并且所述中心线不与第一局部输入/输出线和第二局部输入/输出线交叉。

根据本公开的一些实施例，提供一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第一存储器单元阵列和第二存储器单元阵列，沿第一方向彼此间隔开；多条位线中的中心位线，中心位线在第一存储器单元阵列上方沿第一方向延伸。中心位线是所述多条位线中最接近于在第一存储器单元阵列的中心处沿第一方向延伸的中心线的位线。所述半导体存储器装置包括：所述多条位线中的第一外位线，使得第一外位线在第一存储器单元阵列上方沿第一方向延伸，并且是所述多条位线中在与第一方向交叉的第二方向上距所述中心线最远的位线；所述多条位线中的第二外位线，使得第二外位线在第一存储器单元阵列上方沿第一方向延伸，并且是所述多条位线中在第二方向上距第一外位线最远的位线；中心列选择晶体管，被配置为控制中心位线与局部感测放大器之间的电位；第一外列选择晶体管，被配置为控制第一外位线与局部感测放大器之间的电位；以及第二外列选择晶体管，被配置为控制第二外位线与局部感测放大器之间的电位。第一外列选择晶体管和第二外列选择晶体管被配置为：在中心列选择晶体管向局部感测放大器提供电位时，向局部感测放大器提供电位。