[发明专利]一种高故障覆盖率的阻变存储器的测试方法

权利要求书

1.一种高故障覆盖率的阻变存储器的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：对阻变存储器的存储单元进行Forming操作，地址升序或者降序均可；

步骤二：按照地址升序的方式，对选中的阻变存储单元进行读1和写0操作，2次操作连续且不变更地址值，直至所有阻变存储单元执行完毕；

步骤三：按照地址升序的方式，对选中的阻变存储单元进行2次连续的读0操作，随后执行1次写1操作，3次操作连续且不变更地址值，直至所有阻变存储单元执行完毕；

步骤四：按照地址升序的方式，对选中的阻变存储单元执行2次连续的读1操作，随后执行写0、写1和读1操作，5次操作连续且不变更地址值，直至所有阻变存储单元执行完毕；

步骤五：按照地址降序的方式，对选中的阻变存储单元进行读1、写0、读0操作，3次操作连续且不变更地址值，直至所有阻变存储单元执行完毕；

步骤六：按照地址降序的方式，对选中的阻变存储单元进行写1、写0、读0操作，3次操作连续且不变更地址值，直至所有阻变存储单元执行完毕；

步骤七：按照地址升序的方式，对选中的阻变存储单元进行读0、写1、读1操作，3次操作连续且不变更地址值，直至所有阻变存储单元执行完毕；

步骤八：延迟或暂停一段时间，按照地址升序的方式，对选中的阻变存储单元进行读1、写0、读0操作，3次操作连续且不变更地址值，直至所有阻变存储单元执行完毕；

步骤九：测试结束并输出所有阻变存储单元的故障类型的统计表，该统计表标记了所述阻变存储器中的每一个故障存储单元的故障类型。

2.如权利要求1所述的一种高故障覆盖率的阻变存储器的测试方法，其特征在于，所述步骤一中的Forming操作具体指：采用一个较高的电压，对处于初始化阶段的较高阻状态的阻变存储器进行软击穿，激活该阻变存储器的可操作性性。

3.如权利要求1所述的一种高故障覆盖率的阻变存储器的测试方法，其特征在于，所述步骤二至步骤四、以及步骤七和步骤八的地址升序具体是指：对阻变存储器的存储单元的地址值由低到高的索引，按照单调递增的方式，直到执行完所有的存储单元；所述步骤五至步骤六的地址降序具体是指：对阻变存储器的存储单元的地址值由高到低的索引，按照单调递减的方式，直到执行完所有的存储单元；所述步骤二至步骤八的读1操作具体指：读取所述阻变存储单元的电阻值，判断该阻变存储单元的阻值状态是否为低阻态并记录pass或者fail的判断结果；所述步骤二至步骤八的读0操作具体指：读取所述阻变存储单元的电阻值，判断该阻变存储单元的阻值状态是否为高阻态并记录pass或者fail的判断结果；所述步骤二至步骤八的写1操作具体指：对所述阻变存储单元施加置位电压，使得所述阻变存储单元处于低阻态；所述步骤二至步骤八的写0操作具体指：对所述阻变存储单元施加复位电压，使得所述阻变存储单元处于高阻态。

4.如权利要求1所述的一种高故障覆盖率的阻变存储器测试方法，其特征在于，所述步骤二具体包括以下子步骤：

(2.1) 选择地址值最小的阻变存储单元；

(2.2) 读取所述阻变存储单元的电阻值，判断阻变存储单元的阻值状态是否为低阻态：若阻变存储单元的阻值状态为低阻态，记录结果为pass；否则记为fail并标记所述存储单元的故障类型为Open故障；

(2.3) 对所述阻变存储单元施加复位电压，使得阻变存储单元处于高阻态；

(2.4) 地址值加1并选中对应的阻变存储单元，重复(2.2)、(2.3)步骤直至所有阻变存储单元执行完毕。