[发明专利]一种引线框架的制作方法

权利要求书

1.一种引线框架的制作方法，其特征在于，包括：

步骤A.在框架基材(1)的表面设置第一抗镀层(21)，对第一抗镀层(21)的曝光、显影获得第一凹槽(11)；

步骤B.加成法增层，通过电镀、化学沉积或溅射加成法填充所述第一凹槽(11)，获得第一凸台(12)；

步骤C.在第一凸台(12)和第一抗镀层(21)上设置第二抗镀层(22)，对第二抗镀层(22)的曝光、显影获得第二凹槽(13)，第二凹槽(13)位于所述第一凸台(12)的上部，第二凹槽(13)的局部位于所述第一抗镀层(21)的上部；

步骤D.加成法增层，通过电镀、化学沉积或溅射加成法填充所述第二凹槽(13)，在所述第一凸台(12)上形成盖帽结构(14)；

步骤E.去除第一抗镀层(21)和第二抗镀层(22)；所述步骤C之后，步骤D之前还包括：步骤C1.采用介质阻挡DBD型等离子加工，对第二凹槽(13)的开口内壁进行表面张力改善及亲水性改善处理；

对第一抗镀层(21)和第二抗镀层(22)结合处的角落进行采用介质阻挡DBD型等离子加工的强度比其它部分大10％以上，处理时间比其他部分长10％以上。

2.如权利要求1所述引线框架的制作方法，其特征在于，所述步骤A之后，步骤B之前还包括：

步骤A1.采用射频Plasma等离子加工，对第一凹槽(11)的开口内壁进行处理，增大其粗糙度；

控制第一凹槽(11)的侧壁粗糙度范围：Rz＝2～3μm，Ra＝0.2～0.3μm。

3.如权利要求1所述引线框架的制作方法，其特征在于，所述步骤D包括：

步骤D1.加成法增层，通过电镀、化学沉积或溅射加成法填充所述第二凹槽(13)，在所述第一凸台(12)上形成盖帽结构的第一金属层(141)；

步骤D2.加成法增层，通过电镀、化学沉积或溅射加成法填充所述第二凹槽(13)，在所述第一金属层(141)上形成盖帽结构的第二金属层(142)；

第一金属层(141)的强度和硬度大于第二金属层(142)的强度和硬度。

4.如权利要求3所述引线框架的制作方法，其特征在于，所述步骤D包括：

控制第二凹槽(13)的内壁的粗糙度范围：Rz＝2～3μm，Ra＝0.2～0.3μm；

所述第一金属层(141)的厚度为3～5μm。

5.如权利要求1所述引线框架的制作方法，其特征在于，所述步骤E包括：高压清洁和APPA大气常压等离子清洁去除第一抗镀层(21)和第二抗镀层(22)；

引入APPA大气常压等离子清洁，利用高能量密度的等离子束直接作用于第一抗镀层(21)和第二抗镀层(22)结合的拐角角落处，将可能残留的抗镀材料从框架角落处分离。

6.如权利要求1所述引线框架的制作方法，其特征在于，所述第一凸台(12)的高度为第一凹槽(11)深度的80％～95％；制作盖帽结构(14)前，对所述第一凸台(12)的表面进行增糙处理，盖帽结构(14)包括竖直部分(143)和平台部分(144)，竖直部分位于第一凸台(12)的正上方，平台部分(144)位于竖直部分(143)的上部；

所述第一凸台(12)与盖帽结构(14)的结合面呈犬牙交错状。