[发明专利]一种引线框架的制作方法

说明书

本发明实施例公开了一种引线框架的制作方法和引线框架结构，包括：在框架基材的表面设置第一抗镀层，对第一抗镀层的曝光、显影获得第一凹槽；通过电镀、化学沉积或溅射加成法填充第一凹槽，获得第一凸台；在第一凸台和第一抗镀层上设置第二抗镀层，对第二抗镀层的曝光、显影获得第二凹槽，第二凹槽位于第一凸台的上部，第二凹槽的局部位于第一抗镀层的上部；通过电镀、化学沉积或溅射加成法填充第二凹槽，在第一凸台上形成盖帽结构；去除第一抗镀层和第二抗镀层，盖帽结构、第一凸台和框架基材构成工字型结构，能够增大引线框架与塑封体结合的结合面，降低引线框架与塑封体之间的应力，增强引线框架与塑封体的结合力，降低分层和产生裂纹的概率。

技术领域

本发明涉及封装技术领域，具体涉及一种引线框架的制作方法。

背景技术

框架在半导体封装领域应用非常广泛，作为芯片封装载体，借助键合材料实现封装体内外芯片和电路的电气互连。

传统框架的减法蚀刻加工技术，框架基材1与芯片承载凸台4结合，大多构成类似倒T型结构(如图1～2所示)，当半导体封装加工制程控制存在缺失(比如材料表面氧化、塑封参数异常等)时，(如图2～3所示)所示的几字形框架5与塑封体3的接触面-几字形接触面51在应力作用下容易分层开裂，从而影响产品良率及质量。

发明内容

本发明实施例提供了一种引线框架的制作方法，增强引线框架与塑封体的结合力，降低分层和产生裂纹的概率。

一种引线框架的制作方法，包括：

步骤A.在框架基材的表面设置第一抗镀层，对第一抗镀层的曝光、显影获得第一凹槽；

步骤B.加成法增层，通过电镀、化学沉积或溅射加成法填充第一凹槽，获得第一凸台；

步骤C.在第一凸台和第一抗镀层上设置第二抗镀层，对第二抗镀层的曝光、显影获得第二凹槽，第二凹槽位于第一凸台的上部，第二凹槽的局部位于第一抗镀层的上部；

步骤D.加成法增层，通过电镀、化学沉积或溅射加成法填充第二凹槽，在第一凸台上形成盖帽结构；

步骤E.去除第一抗镀层和第二抗镀层。

优选的，步骤A之后，步骤B之前还包括：

步骤A1.采用射频Plasma等离子加工，对第一凹槽的开口内壁进行处理，增大其粗糙度；控制第一凹槽的侧壁粗糙度范围：Rz＝2～3μm，Ra＝0.2～0.3μm。

优选的，步骤C之后，步骤D之前还包括：

步骤C1.采用介质阻挡DBD型等离子加工，对第二凹槽的开口内壁进行表面张力改善及亲水性改善处理；介质阻挡型等离子对抗镀材料进行处理，两种抗镀材料(第一抗镀层和第二抗镀层)连接的角落处表面张力改善及亲水性改善，保证电镀或其他药水充分渗透及交换，确保电镀质量。

对第一抗镀层和第二抗镀层结合处的角落进行采用介质阻挡DBD型等离子加工的强度比其它部分大10％以上，处理时间比其他部分长10％以上。

优选的，步骤D包括：

步骤D1.加成法增层，通过电镀、化学沉积或溅射加成法填充第二凹槽，在第一凸台上形成盖帽结构的第一金属层；

步骤D2.加成法增层，通过电镀、化学沉积或溅射加成法填充第二凹槽，在第一金属层上形成盖帽结构的第二金属层；

第一金属层的强度和硬度大于第二金属层的强度和硬度。

第一金属层为金层、镍钯金层或镍层，第二金属层为铜层。

优选的，步骤D包括：

控制第二凹槽的内壁的粗糙度范围：Rz＝2～3μm，Ra＝0.2～0.3μm；