[发明专利]一种利用硅衬底散热的GaN晶圆加工工艺

权利要求书

1.一种利用硅衬底散热的GaN晶圆加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1、完成硅衬底GaN晶圆的正面元件制程；

S2、将硅衬底GaN晶圆正面暂时性键合玻璃载板；

S3、翻转硅衬底GaN晶圆，通过研磨、蚀刻的方式对晶圆背面的硅衬底进行减薄；

S4、利用光刻及干蚀刻在减薄后的硅衬底表面制作散热鳍片；

S5、在晶圆背面涂布聚酰亚胺，填充散热鳍片的间隙，利用激光或钻石刀轮从晶圆背面切割断开切割道，但晶粒仍附着在玻璃载板表面；

S6、将晶圆背面贴附于第一切割模框上，利用激光将正面键合的玻璃载板解键合，将玻璃载板移除后清洗除去黏着层；

S7、将晶圆正面贴附于第二切割模框上，然后将第一切割模框、晶圆及第二切割模框整体翻转，通过紫外光移除第一切割模框黏性，取下第一切割模框，通过氧气电浆除去散热鳍片间隙内的聚酰亚胺；

S8、将晶圆背面再次贴附于第三切割模框上，然后将第二切割模框、晶圆及第三切割模框整体翻转，通过紫外光移除第二切割模框黏性，取下第二切割模框即可。

2.根据权利要求1所述的利用硅衬底散热的GaN晶圆加工工艺，其特征在于，所述步骤S3中减薄后硅衬底的厚度为50-200μm。

3.根据权利要求1所述的利用硅衬底散热的GaN晶圆加工工艺，其特征在于，所述步骤S4中散热鳍片的厚度为5-10μm，散热鳍片的间距为2-5μm。

4.根据权利要求1所述的利用硅衬底散热的GaN晶圆加工工艺，其特征在于，所述步骤S5中涂布聚酰亚胺后通过显影、固化、蚀刻后裸露出切割道。