[发明专利]一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法有效
| 申请号： | 202111342793.1 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114164481B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 江国东;陈锦雄;汪启桥;胡三元;闫小宇;李洪伟 | 申请（专利权）人： | 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司;韶关东阳光科技研发有限公司 |
| 主分类号： | C25F3/04 | 分类号： | C25F3/04;C23F1/20 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈嘉毅 |
| 地址： | 512700 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 腐蚀 方法 高压 及其 制备 | ||
1.一种发孔腐蚀方法，其特征在于，步骤如下：
将铝箔置于腐蚀液中依次进行第一次大电流腐蚀和第一次小电流腐蚀；所述第一次大电流腐蚀电流密度为0.4～0.8A/cm2；所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.05～0.25A/cm2；
所述发孔腐蚀总时间为95～170s，其中第一次小电流腐蚀时间为15～50s；
所述腐蚀液中盐酸浓度为2～5wt.％，硫酸浓度为25～35wt.％，铝离子浓度为0.3～0.6mol/L，所述腐蚀液温度为65～75℃。
2.根据权利要求1所述发孔腐蚀方法，其特征在于，所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.1～0.2A/cm2。
3.根据权利要求1所述发孔腐蚀方法，其特征在于，所述发孔腐蚀总时间为110～130s，其中第一次小电流腐蚀时间为20～40s。
4.根据权利要求1所述发孔腐蚀方法，其特征在于，所述第一次大电流腐蚀分2段或2段以上进行，相邻两段大电流腐蚀之间进行所述第一次小电流腐蚀。
5.根据权利要求1所述发孔腐蚀方法，其特征在于，所述第一次小电流腐蚀后将进行第二次大电流腐蚀，所述第一次大电流腐蚀时间为50～70s，第一次小电流腐蚀时间为20～40s；
第二次大电流腐蚀时间为20～40s，电流密度0.5～0.6A/cm2。
6.根据权利要求5所述发孔腐蚀方法，其特征在于，所述第二次大电流腐蚀后进行第二次小电流腐蚀，第二次小电流腐蚀时间为20～40s，电流密度为0.1～0.2A/cm2。
7.一种中高压腐蚀箔的制备方法，包括将铝箔依次进行预处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀和后处理四个步骤，其特征在于，所述发孔腐蚀按照权利要求1～6任一所述发孔腐蚀方法进行。
8.根据权利要求7所述中高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述预处理为将铝箔置于硫酸和盐酸混合溶液中处理，溶液温度为55～70℃、处理时间20～30s。
9.根据权利要求7所述中高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述扩孔腐蚀为将铝箔水洗后置于硝酸浓度为5～10wt.％的溶液中加电腐蚀，电流密度为0.15～0.25A/cm2，加电腐蚀时间为400～480S，溶液温度为65-80℃。
10.一种中高压腐蚀箔，其特征在于，由权利要求7～9任一所述方法制得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司;韶关东阳光科技研发有限公司，未经乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司;韶关东阳光科技研发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111342793.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种终端接入物联网的安全认证方法
- 下一篇：一种水基含碳滑板涂料及其制备方法
