[发明专利]一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法

说明书

本发明公开了一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法，所述发孔腐蚀方法为将铝箔置于腐蚀液中依次进行第一次大电流腐蚀和第一次小电流腐蚀；所述第一次大电流腐蚀电流密度为0.4～0.8A/cmsupgt;2/supgt;；所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.05～0.25A/cmsupgt;2/supgt;；所述发孔腐蚀总时间为95～170s，其中第一次小电流腐蚀时间为15～50s；所述腐蚀液中盐酸浓度为2～5wt.％，硫酸浓度为25～35wt.％，铝离子浓度为0.3～0.6mol/L，所述腐蚀液温度为65～75℃。本发明在大电流腐蚀后或大电流腐蚀进行时增加小电流腐蚀，可在基本不新增点蚀孔的情况下小幅扩大和深入发孔孔洞，有利于后续扩孔腐蚀孔洞深入和扩孔的一致性，减少无效小孔对中高压腐蚀箔静电容量的不利影响，提高了制备得到的腐蚀箔的静电容量。

技术领域

本发明涉及中高压腐蚀箔制备技术领域，更具体地，涉及一种发孔腐蚀方法、中高压腐蚀箔及其制备方法。

背景技术

电子信息技术和设备的快速发展和迭代，促进铝电解电容器小型化和片式化，这对铝电解电容器用阳极箔的静电等性能提出了更高的要求。

目前，中高压铝箔的电解腐蚀工艺一般包括预处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀、后处理四个主要步骤。预处理的主要是将铝箔置于盐酸和硫酸的混合溶液中，除去光箔表面油污、杂质及氧化膜，改善表面状态，促进铝箔下一步发孔腐蚀时形成均匀分布的隧道孔；发孔腐蚀主要是通过将预处理后的铝箔置于硫酸和盐酸的混合溶液中施加直流电腐蚀，在铝箔表面形成具有一定长度和孔径的初始隧道孔；扩孔腐蚀主要是将经过发孔腐蚀的铝箔置于硝酸溶液中加电腐蚀，使隧道孔孔径进一步扩大至所需尺寸，避免化成时隧道孔被氧化膜堵死，获得高静电容量；后处理则主要是将经过扩孔腐蚀的铝箔置于硝酸溶液中，消除铝箔表面残留的金属杂质、箔灰以及隧道孔内的氯离子。

在实际生产中，腐蚀孔密度、孔洞形状及孔深入一致性是获得高静电容量的关键。为了控制孔洞形状及孔深入一致性，进而提高静电容量，现有技术公开了一种通过将发孔腐蚀后的铝箔浸入到硝酸或盐酸溶液中实现提高静电容量的方法，但该方法制备得到的腐蚀箔存在无效小孔多的问题。

发明内容

本发明的首要目的是克服现有中高压腐蚀箔制备方法制备得到的腐蚀箔无效小孔多的问题，提供一种发孔腐蚀方法。

本发明的另一目的是提供一种中高压腐蚀箔的制备方法。

本发明的再一目的是提供一种中高压腐蚀箔。

本发明的进一步目的是提供所述中高压腐蚀箔的应用。

本发明的上述目的通过以下技术方案实现：

一种发孔腐蚀方法，步骤如下：

将铝箔置于腐蚀液中依次进行第一次大电流腐蚀和第一次小电流腐蚀；所述第一次大电流腐蚀电流密度为0.4～0.8A/cm²；所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.05～0.25A/cm²；

所述发孔腐蚀总时间为95～170s，其中第一次小电流腐蚀时间为15～50s；

所述腐蚀液中盐酸浓度为2～5wt.％，硫酸浓度为25～35wt.％，铝离子浓度为0.3～0.6mol/L，所述腐蚀液温度为65～75℃。

本发明所述发孔腐蚀方法在大电流腐蚀之后增加小电流腐蚀，通过控制小电流腐蚀的电流密度和腐蚀时间，可在基本不新增点蚀孔的情况下小幅扩大和深入发孔孔洞，减少中高压腐蚀箔制备时扩孔过程中铝离子向外扩散的阻力，有利于后续扩孔腐蚀孔洞深入和扩孔的一致性，减少无效小孔对中高压腐蚀箔静电容量的不利影响，从而提高制备得到的腐蚀箔的静电容量。

优选地，所述第一次小电流腐蚀电流密度为0.1～0.2A/cm²。