[发明专利]一种射频电路板及射频电路板的制作方法有效
申请号: | 202111344695.1 | 申请日: | 2021-11-15 |
公开(公告)号: | CN113794488B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 卢曰杨 | 申请(专利权)人: | 成都爱旗科技有限公司 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40 |
代理公司: | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人: | 王胜利 |
地址: | 610094 四川省成都市中国(四川)自*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 电路板 制作方法 | ||
1.一种射频电路板,其特征在于,包括:射频芯片、第一传输结构、射频模组、第二传输结构以及电路板本体,其中:
所述射频芯片设置于所述射频模组的第一区域,且通过所述第一传输结构与所述射频模组电连接,所述第一传输结构用于将所述射频芯片发送的射频信号传输至所述射频模组,且所述第一传输结构的特性阻抗满足目标阻抗范围;
所述射频模组设置于所述电路板本体的第二区域,且通过所述第二传输结构与所述电路板本体电连接,所述第二传输结构用于将所述射频信号传输至所述电路板本体,且所述第二传输结构的特性阻抗满足所述目标阻抗范围;
所述射频模组至少包括自上而下层叠设置的信号传输层、绝缘层以及信号回流层;
所述第一传输结构与所述信号传输层电连接,所述信号传输层通过所述第二传输结构与所述信号回流层电连接;所述绝缘层的高度为H1;
所述第一传输结构的宽度为W1;
所述H1与所述W1满足预设特性阻抗条件;
所述第一传输结构包括依次电连接且位于所述信号传输层上的第一微带结构、第二微带结构以及输出结构;所述第一微带结构还与所述射频芯片电连接,所述输出结构还与所述射频模组电连接;
所述第一微带结构、所述第二微带结构以及所述输出结构的特性阻抗均满足所述目标阻抗范围。
2.根据权利要求1所述的射频电路板,其特征在于,第一传输结构包括第一信号传输线;所述第一信号传输线包括位于第一微带结构中的第一部分,位于第二微带结构中的第二部分,位于输出结构中的第三部分;
所述第一部分的宽度为w1,所述第一部分与所述信号回流层的距离为h1;
所述第二部分的宽度为w2,所述第二部分与所述信号回流层的距离为h2;
所述第三部分的宽度为w3,所述第三部分与所述信号回流层的距离为h3;
所述w1与所述h1、所述w2与所述h2以及所述w3与所述h3均满足所述预设特性阻抗条件。
3.根据权利要求2所述的射频电路板,其特征在于,当所述输出结构为邮票孔时,所述邮票孔的直径为d,d=w3;
所述邮票孔与所述信号回流层的水平距离为l,l=h3。
4.根据权利要求1所述的射频电路板,其特征在于,所述第二传输结构包括多个焊盘,每个所述焊盘均设置于所述射频模组的一侧,且与所述电路板本体靠近所述射频模组的一侧电连接;
每个所述焊盘的宽度为W2,所述焊盘与所述信号回流层的水平距离为H2;
所述H2与所述W2满足所述预设特性阻抗条件。
5.根据权利要求4所述的射频电路板,其特征在于,所述第二传输结构包括第二信号传输线;所述第二信号传输线位于所述焊盘中,且与所述电路板本体靠近所述射频模组的一侧电连接;
所述第二信号传输线的宽度为w4,所述第二信号传输线与所述信号回流层的水平距离为h4;
所述w4与所述h4满足所述预设特性阻抗条件。
6.根据权利要求1所述的射频电路板,其特征在于,所述第一区域的大小与所述射频芯片的大小相匹配;
所述第二区域的大小与所述射频模组的大小相匹配。
7.一种射频电路板的制作方法,应用于权利要求1至6任一项所述的射频电路板中,其特征在于,包括:
将射频芯片设置于射频模组的第一区域,且将所述射频芯片通过第一传输结构与所述射频模组电连接;其中,所述第一传输结构用于将所述射频芯片发送的射频信号传输至所述射频模组,所述第一传输结构的特性阻抗满足目标阻抗范围;
将射频模组设置于所述电路板本体的第二区域,且将所述射频模组通过第二传输结构与所述电路板本体电连接;其中,所述第二传输结构用于将所述射频信号传输至所述电路板本体,所述第二传输结构的特性阻抗满足所述目标阻抗范围;
所述射频模组至少包括自上而下层叠的信号传输层、绝缘层以及信号回流层;
将所述第一传输结构与所述信号传输层电连接,且将所述信号传输层通过所述第二传输结构与所述信号回流层电连接;其中,所述绝缘层的高度为H1,所述第一传输结构的宽度为W1,所述H1与所述W1满足预设特性阻抗条件;
所述第一传输结构包括依次电连接的第一微带结构、第二微带结构以及输出结构;其中,所述第一微带结构、所述第二微带结构以及所述输出结构均位于所述信号传输层上;
将所述第一微带结构与所述射频芯片电连接,将所述输出结构与所述射频模组电连接;其中,所述第一微带结构、所述第二微带结构以及所述输出结构的特性阻抗均满足所述目标阻抗范围。
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