[发明专利]利用NAND缓冲器进行无DRAM的多级单元编程在审
| 申请号： | 202111347034.4 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114664361A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 尚卡拉·纳塔拉扬;苏雷什·那加拉甘;阿力斯格·S·马德拉斯瓦拉;张屹华 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;G11C16/04;G11C11/413;G06F12/0882;G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 田琳婧 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 nand 缓冲器 进行 dram 多级 单元 编程 | ||
1.一种装置，包括：
非易失性(NV)介质，具有介质管芯上的多级单元阵列；
所述介质管芯上的易失性存储器，用于存储对所述NV介质进行编程的数据；以及
所述介质管芯上的缓冲器，用于缓冲用于所述NV介质的读取和编程数据；
其中，所述NV介质的程序将第一部分页暂存在所述缓冲器中用于编程，将第二部分页从所述NV介质读取到所述易失性存储器，将所述第二部分页存储在所述缓冲器中，以及使用所述第一部分页和所述第二部分页对所述NV介质进行编程。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述NV介质的所述程序包括垃圾收集，以将数据从源介质移动到所述NV介质。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述源介质包括单级单元(SLC)闪存。
4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述源介质包括三级单元(TLC)闪存、四级单元(QLC)闪存、或三维交叉点(3DXP)存储器中的一者。
5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述源介质包括动态随机存取存储器(DRAM)。
6.根据权利要求1所述的装置，其中，将所述第二部分页读取到所述易失性存储器包括：对所述第二部分页执行错误检查和校正(ECC)。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，对所述NV介质进行编程包括：响应于加载用于在所述NV介质中进行编程的新地址，将所述第一部分页和所述第二部分页从所述缓冲器刷新到所述NV介质。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，对所述NV介质进行编程包括：响应于刷新命令，将所述第一部分页和所述第二部分页从所述缓冲器刷新到所述NV介质。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述缓冲器包括用于所述NV介质的读/写寄存器。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述NV介质包括四级单元(QLC)闪存。
11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述NV介质包括三级单元(TLC)闪存、五级单元(5LC)闪存、或三维交叉点(3DXP)存储器中的一者。
12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述易失性存储器包括静态随机存取存储器(SRAM)。
13.一种计算设备，包括：
主机处理器；以及
固态驱动器(SSD)，耦合到所述主机处理器，所述SSD包括：
非易失性(NV)介质，具有介质管芯上的多级单元阵列；
所述介质管芯上的易失性存储器，用于存储对所述NV介质进行编程的数据；以及
所述介质管芯上的缓冲器，用于缓冲用于所述NV介质的读取和编程数据；
其中，所述NV介质的程序将第一部分页暂存在所述缓冲器中用于编程，将第二部分页从所述NV介质读取到所述易失性存储器，将所述第二部分页存储在所述缓冲器中，以及使用所述第一部分页和所述第二部分页对所述NV介质进行编程。
14.根据权利要求13所述的计算设备，其中，所述NV介质的所述程序包括垃圾收集，以将数据从单级单元(SLC)快闪缓冲存储器移动到所述NV介质。
15.根据权利要求13所述的计算设备，其中，将所述第二部分页读取到所述易失性存储器包括：对所述第二部分页执行错误检查和校正(ECC)。
16.根据权利要求13所述的计算设备，其中，对所述NV介质进行编程包括：响应于加载用于在所述NV介质中进行编程的新地址，将所述第一部分页和所述第二部分页从所述缓冲器刷新到所述NV介质。
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