[发明专利]聚焦环及包括聚焦环的基板处理装置

权利要求书

1.一种聚焦环，其特征在于，包括：

第一环，其与基板接触；

第二环，其与所述第一环结合；

第三环，其与所述第二环结合；以及

阶梯结构，其设在所述第二环与所述第三环之间。

2.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于：

所述第一环具有第一蚀刻率，所述第二环具有第二蚀刻率，所述第三环具有第三蚀刻率。

3.根据权利要求2所述的聚焦环，其特征在于：

对含氟的蚀刻气体，所述第一蚀刻率及所述第二蚀刻率相同，所述第三蚀刻率大于所述第一蚀刻率及所述第二蚀刻率。

4.根据权利要求2所述的聚焦环，其特征在于：

所述第一环和所述第二环分别含碳化硅，所述第三环含氧化硅。

5.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于：

所述阶梯结构形成于所述第二环与所述第三环之间的界面、所述第二环的一侧或者所述第三环的一侧。

6.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于：

所述阶梯结构朝向所述基板向下方配置。

7.根据权利要求6所述的聚焦环，其特征在于：

所述阶梯结构包括多个阶梯部分。

8.根据权利要求7所述的聚焦环，其特征在于：

所述阶梯结构包括朝向所述基板向下方配置第一阶梯部分、第二阶梯部分、第三阶梯部分及第四阶梯部分。

9.根据权利要求8所述的聚焦环，其特征在于：

所述第一阶梯部分至所述第四阶梯部分分别具有朝向所述基板增加的深度及减小的宽度。

10.根据权利要求8所述的聚焦环，其特征在于：

所述第一阶梯部分具有第一深度及第一宽度，所述第二阶梯部分具有比所述第一深度大的第二深度及比所述第一宽度小的第二宽度，所述第三阶梯部分具有比所述第二深度大的第三深度及比所述第二宽度小的第三宽度，所述第四阶梯部分具有比所述第三深度大的第四深度及比所述第三宽度小的第四宽度。

11.根据权利要求1所述的聚焦环，其特征在于：

在所述第一环的下部设置有结合阶梯结构，用于所述聚焦环稳定地结合于所述基板。

12.一种工程腔室，其特征在于，包括：

外壳，其内部提供工程空间；

支撑单元，其配置在所述外壳内以支撑基板，具备包括多个环的聚焦环；

气体供应单元，其向所述工程空间内供应工程气体；以及

等离子体生成单元，其在所述工程空间内从所述工程气体产生等离子体，

所述聚焦环具有包括朝向所述基板向下方配置的多个阶梯部分的阶梯结构。

13.根据权利要求12所述的工程腔室，其特征在于：

所述聚焦环包括与所述基板接触的第一环、与所述第一环结合的第二环及与所述第二环结合的第三环，

所述阶梯结构设于所述第二环与所述第三环之间。

14.根据权利要求13所述的工程腔室，其特征在于：

所述阶梯结构形成于所述第二环与所述第三环之间的界面、所述第二环的一侧或者所述第三环的一侧。

15.根据权利要求12所述的工程腔室，其特征在于：

所述阶梯结构包括朝向所述基板向下方配置的第一阶梯部分、第二阶梯部分、第三阶梯部分及第四阶梯部分。

16.根据权利要求15所述的工程腔室，其特征在于：

所述第一阶梯部分至所述第四阶梯部分具有朝向所述基板增加的深度及减小的宽度。