[发明专利]聚焦环及包括聚焦环的基板处理装置

说明书

本发明公开聚焦环及包括聚焦环的基板处理装置。基板处理装置可包括：处理模块，其包括对基板执行所需工序的至少一个工程腔室；及转位模块，其从外部向所述处理模块内移送所述基板。所述至少一个工程腔室可包括：内部提供工程空间的外壳；配置在所述外壳内以支撑基板，具备包括多个环的聚焦环的支撑单元；向所述工程空间内供应工程气体的气体供应单元；以及在所述工程空间内从所述工程气体产生等离子体的等离子体生成单元。所述聚焦环可具有包括朝向所述基板向下方配置的多个阶梯部分的阶梯结构。本发明能够大幅提升所述聚焦环的寿命，能够分别大幅提升包括所述聚焦环的工程腔室及包括所述聚焦环的基板处理装置的寿命。

本申请享有2020年12月23日向韩国专利厅申请的韩国专利申请第

10-2020-0181873号的优先权。

技术领域

本发明的例示性实施例涉及聚焦环及包括聚焦环的基板处理装置。更具体来讲，本发明的例示性实施例涉及包括阶梯结构的聚焦环及具备这种聚焦环的基板处理装置。

背景技术

集成电路装置或者显示装置可使用大体包括沉积腔室、溅射腔室、蚀刻腔室、清洗腔室、干燥腔室等多种工程腔室的基板处理装置制作。这种工程腔室中所包含的构成要素在所述工程腔室内进行多种工艺期间能够受到损伤。尤其，在所述工程腔室内对基板执行等离子体蚀刻工艺时，向所述基板上引导等离子体的聚焦环容易受损，从而可缩短所述聚焦环的寿命。例如，包括由碳化硅构成的内侧环及由氧化硅构成的外侧环的现有聚焦环可能会容易被含有氟的蚀刻气体产生的等离子体损伤，这种损伤能够导致所述聚焦环的寿命下降。

发明内容

技术问题

本发明的一方面提供包括阶梯结构从而能够大幅提升寿命的聚焦环。

本发明的另一方面提供具备包括阶梯结构从而能够大幅提升寿命的聚焦环的工程腔室。

本发明的又一方面提供具备包括阶梯结构从而能够大幅提升寿命的聚焦环的基板处理装置。

技术方案

在本发明的一方面可提供聚焦环，可包括：与基板接触的第一环、与所述第一环结合的第二环、与所述第二环结合的第三环及设于所述第二环与所述第三环之间的阶梯结构。

在例示性实施例中，所述第一环可具有第一蚀刻率，所述第二环可具有第二蚀刻率，所述第三环可具有第三蚀刻率。该情况下，对于含氟的蚀刻气体，所述第一蚀刻率和所述第二蚀刻率可以实质上相同，所述第三蚀刻率可比所述第一蚀刻率及所述第二蚀刻率实质上大。例如，所述第一环和所述第二环可含碳化硅，所述第三环可含氧化硅。

在例示性实施例中，所述阶梯结构可形成于所述第二环与所述第三环之间的界面、所述第二环的一侧或者所述第三环的一侧。

在例示性实施例中，所述阶梯结构可朝向所述基板向下方配置。

在例示性实施例中，所述阶梯结构可包括多个阶梯部分。该情况下，所述阶梯结构可包括能够朝向所述基板向下方配置的第一阶梯部分、第二阶梯部分、第三阶梯部分及第四阶梯部分。并且，所述第一阶梯部分至所述第四阶梯部分可具有朝向所述基板实质上增加的深度及实质上减小的宽度。例如，所述第一阶梯部分可具有第一深度及第一宽度，所述第二阶梯部分可具有比所述第一深度实质上大的第二深度以及比所述第一宽度实质上小的第二宽度，所述第三阶梯部分可具有比所述第二深度实质上大的第三深度以及比所述第二宽度实质上小的第三宽度，所述第四阶梯部分可具有比所述第三深度实质上大的第四深度以及比所述第三宽度实质上小的第四宽度。

在例示性实施例中，可在所述第一环的下部提供用于对所述基板的稳定结合的结合阶梯结构。