[发明专利]一种MEMS传感器的制作方法及其MEMS传感器在审

专利信息
申请号: 202111349314.9 申请日: 2021-11-15
公开(公告)号: CN114132889A 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: 端木鲁玉;田峻瑜;闫文明 申请(专利权)人: 歌尔微电子股份有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
代理公司: 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人: 柳岩
地址: 266101 山东省青岛市崂*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 mems 传感器 制作方法 及其
【权利要求书】:

1.一种MEMS传感器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

在基板(1)的表面设置MEMS芯片(2)和ASIC芯片(3);

在基板(1)的表面设置具有第一声孔(41)的第一壳体(4),且所述MEMS芯片(2)和所述ASIC芯片(3)均位于所述第一壳体(4)的内侧;

在所述第一声孔(41)的远离所述基板(1)的一侧贴附防水透气膜(5);

在所述第一壳体(4)的外侧套设具有第二声孔(61)的第二壳体(6),所述第二声孔(61)与所述第一声孔(41)相对,所述防水透气膜(5)的远离所述第一壳体(4)的一侧固定于所述第二壳体(6)。

2.根据权利要求1所述的MEMS传感器的制作方法,其特征在于,

在基层(11)的第一侧形成第一介质层(12),并在基层(11)的第二侧形成第二介质层(13);

对第一介质层(12)进行光刻,并蚀刻基层(11),以形成线路(9);

在第一介质层(12)上形成第一焊盘(14)和第二焊盘(15),并在第二介质层(13)上形成第三焊盘(16),以形成基板(1)。

3.根据权利要求2所述的MEMS传感器的制作方法,其特征在于,所述第一焊盘(14)、所述第二焊盘(15)、所述第三焊盘(16)均通过光刻的方式形成。

4.根据权利要求2所述的MEMS传感器的制作方法,其特征在于,所述基层(11)为铜层。

5.根据权利要求2所述的MEMS传感器的制作方法,其特征在于,将所述第一壳体(4)通过锡膏(7)焊接于第二焊盘(15)处。

6.根据权利要求2所述的MEMS传感器的制作方法,其特征在于,将所述第二壳体(6)通过锡膏(7)焊接于第二焊盘(15)处。

7.根据权利要求1所述的MEMS传感器的制作方法,其特征在于,

将所述MEMS芯片(2)和所述ASIC芯片(3)贴装在所述基板(1)上。

8.根据权利要求1所述的MEMS传感器的制作方法,其特征在于,所述MEMS芯片(2)具有振膜,所述振膜与所述第一声孔(41)的位置相对应。

9.根据权利要求1所述的MEMS传感器的制作方法,其特征在于,金属线(8)通过打线工艺将所述MEMS芯片(2)和所述ASIC芯片(3)连接。

10.根据权利要求9所述的MEMS传感器的制作方法,其特征在于,所述金属线(8)为金线。

11.一种MEMS传感器,其特征在于,采用如权利要求1-10任意一项所述的MEMS传感器的制作方法制得,包括:

基板(1);

MEMS芯片(2)和ASIC芯片(3),所述MEMS芯片(2)和所述ASIC芯片(3)设置于所述基板(1);

第一壳体(4),所述第一壳体(4)固定于所述基板(1),且所述MEMS芯片(2)和所述ASIC芯片(3)位于所述第一壳体(4)中;

防水透气膜(5),所述第一壳体(4)上设置有第一声孔(41),所述防水透气膜(5)贴附于所述第一声孔(41)的远离所述基板(1)的一侧;

第二壳体(6),所述第二壳体(6)上设置有第二声孔(61),所述第二声孔(61)与所述第一声孔(41)相对应;所述第二壳体(6)套设于所述第一壳体(4)的外侧,且所述防水透气膜(5)的远离所述基板(1)的一侧固定在所述第二壳体(6)上。

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