[发明专利]集成电路版图设计方法、装置及设备有效
申请号: | 202111351811.2 | 申请日: | 2021-11-16 |
公开(公告)号: | CN113792525B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 丁柯;丁仲;张崇茜 | 申请(专利权)人: | 北京芯愿景软件技术股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/398 | 分类号: | G06F30/398;G06F111/20 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 赵秀芹 |
地址: | 100095 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 版图 设计 方法 装置 设备 | ||
1.一种集成电路版图设计方法,其特征在于,所述方法包括:
获取集成电路的原始版图数据中的版图元素集合;所述版图元素集合包括正常版图元素集合或异常版图元素集合,所述异常版图元素集合包括未通过DRC校验的版图元素;
从模型数据库中查找到与所述版图元素集合对应的目标版图元素集合;所述目标版图元素集合满足设计规则检查DRC校验要求;
将所述原始版图数据中的所述异常版图元素集合替换为所述目标版图元素集合;所述异常版图元素集合与所述目标版图元素集合具备相同的元素特征;其中,所述相同的元素特征至少包括图形的数量一致以及图形的形状一致;
所述从模型数据库中查找到与所述版图元素集合对应的目标版图元素集合,包括:
响应于用户触发的参数设置指令,根据所述参数设置指令确定参数;所述参数包括DRC校验要求;
从所述模型数据库中获取满足所述参数的多个模型版图元素集合;
分别判断每个模型版图元素集合替换所述原始版图数据中的所述版图元素集合后是否与周围的版图元素产生DRC校验异常;
在模型版图元素集合替换所述原始版图数据中的所述版图元素集合后不与周围的版图元素产生DRC校验异常时,将不与周围的版图元素产生DRC校验异常的模型版图元素集合作为所述目标版图元素集合。
2.根据权利要求1所述的集成电路版图设计方法,其特征在于,所述集成电路版图设计方法,还包括:
生成预备模型版图元素集合;
对所述预备模型版图元素集合进行DRC校验;
将通过DRC校验的预备模型版图元素集合存储至所述模型数据库中。
3.根据权利要求2所述的集成电路版图设计方法,其特征在于,所述生成预备模型版图元素集合,包括:
根据预设模型生成算法生成多个不同的预备模型版图元素集合,和/或,响应于用户触发的绘制输入指令生成对应的预备模型版图元素集合。
4.根据权利要求2所述的集成电路版图设计方法,其特征在于,所述生成预备模型版图元素集合,包括:
响应于用户触发的模型参数设置指令,根据所述模型参数设置指令对应的模型参数生成多个不同的预备模型版图元素集合。
5.根据权利要求2所述的集成电路版图设计方法,其特征在于,所述将通过DRC校验的预备模型版图元素集合存储至所述模型数据库中,包括:
将通过DRC校验的预备模型版图元素集合中的每个预备模型版图元素集合转换为对应的文本格式文件;
将所述文本格式文件存储至所述模型数据库中;
所述从模型数据库中查找到与所述版图元素集合对应的目标版图元素集合,包括:
从所述模型数据库中查找到与所述异常版图元素集合对应的目标版图元素集合对应的文本格式文件;
将所述文本格式文件转换为对应的目标版图元素集合。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的集成电路版图设计方法,其特征在于,所述从模型数据库中查找到与所述版图元素集合对应的目标版图元素集合,包括:
从模型数据库中查找与所述版图元素集合对应的多个模型版图元素集合;
从多个模型版图元素集合中选择第一模型版图元素集合;
将所述原始版图数据中的版图元素集合替换为所述第一模型版图元素集合。
7.根据权利要求6所述的集成电路版图设计方法,其特征在于,所述将所述原始版图数据中的版图元素集合替换为所述第一模型版图元素集合之后,还包括:
在接收到用户触发的切换指令时,将所述原始版图数据中的所述第一模型版图元素集合替换为第二模型版图元素集合;所述第二模型版图元素集合为所述多个模型版图元素集合中未替换至所述原始版图数据中的版图元素集合。
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