[发明专利]一种多芯片扇出型封装方法及封装结构

权利要求书

1.一种多芯片扇出型封装方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、在透明载板表面涂覆复合分离层，然后在复合分离层上溅射一定厚度的金属层；

步骤二、在金属层上通过多次光刻、溅射和电镀形成再布线金属线路层及对应的上层金属焊盘；

步骤三、将芯片整体减薄到目标厚度后进行划片，然后在各独立芯片的底部制作芯片焊盘；

步骤四、将多个芯片通过其芯片焊盘焊接到再布线金属线路层的上层金属焊盘上，并对焊盘之间的空隙做底部填充形成填充层；

步骤五、将上述所得结构压置于塑封模具中，然后使用塑封料将对步骤四所得结构塑封形成包封体，包封体尺寸大于晶圆尺寸，所述包封体包括覆盖于芯片和再布线金属线路层的第一部分以及环绕于晶圆外围的第二部分；

步骤六、使用环形切割将包封体的第二部分切除，剩余的第一部分形成塑封层，该塑封层尺寸与晶圆尺寸一致；

步骤七、将切割后的塑封晶圆依次进行去除载板、去除紫外膜和去胶清洗的操作；

步骤八、翻转经步骤七处理后的塑封晶圆，然后腐蚀去除金属层，露出再布线金属线路层底部的导线；

步骤九、先溅射一层金属膜覆盖在再布线金属线路层上靠近去掉载体的一侧，再通过光刻、电镀工艺形成若干底层金属凸块，底层金属凸块与再布线金属线路层底部的导线相连通；

步骤十、将经步骤九处理后的塑封晶圆整体减薄至目标厚度，贴膜后再进行切割成若干单颗独立封装体。

2.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装方法，其特征在于：所述步骤一中的金属层为铝、钛、铜中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装方法，其特征在于：所述步骤五中对再布线金属线路层和芯片进行塑封的具体过程为：

提供一层尺寸大于芯片尺寸的塑封膜，然后将步骤四所得结构放到塑封膜上并压住该塑封膜，然后放置于塑封模具中，该塑封模具包括上模具以及与其适配的下模具，下模具开口朝上；

将待塑封样品放置下模具内且载板在底部，同时在待塑封样品与下模具内壁之间设置辅助膜，盖上上模具塑封形成塑封层。

4.根据权利要求3所述的多芯片扇出型封装方法，其特征在于：所述下模具的内径大于载板的直径。

5.根据权利要求3所述的多芯片扇出型封装方法，其特征在于：所述辅助膜由PET制成，辅助膜整体形状与下模具内表面相适配。

6.根据权利要求1所述的多芯片扇出型封装方法，其特征在于：所述步骤七的具体方法为：将切割后的塑封晶圆进行激光解键合，去除载板；通过紫外光照射塑封晶圆黏附的紫外膜，扯下紫外膜得到无载板的塑封晶圆；将塑封晶圆进行去胶清洗。

7.一种多芯片扇出型封装结构，其特征在于：包括若干个芯片、再布线金属线路层、底填胶和塑封料；

所述再布线金属线路层的上表面设有上层金属焊盘，再布线金属线路层的下表面制作有若干底层金属凸块，通过底层金属凸块将再布线金属线路层与印刷电路板相连；

各芯片采用倒装芯片互连方式将其芯片焊盘焊接于再布线金属线路层的上层金属焊盘，进而芯片通过再布线金属线路层作为互联线路层实现选择性地电信连通；

所述底填胶填充于芯片的底部和各个芯片间隙形成填充层；

所述塑封料包覆于再布线金属线路层上方以及芯片外周形成塑封层，并露出芯片的背面。