[发明专利]一种多芯片扇出型封装方法及封装结构

说明书

本发明公开一种多芯片扇出型封装方法及封装结构，在透明载板上依次制作复合分离层和金属层，在金属层上形成再布线金属线路层及对应金属焊盘，将芯片焊接到再布线金属线路层并填充形成填充层；在塑封形成包封体后做处理得到塑封晶圆，通过腐蚀等处理去除金属层，使再布线金属线路层底部形成底层金属凸块，底层金属凸块与再布线金属线路层底部的导线相连通；最后上述处理后的塑封晶圆整体减薄、贴膜后和切割成若干单颗独立封装体。

技术领域

本发明属于半导体封装技术，具体涉及一种多芯片扇出型封装方法及封装结构。

背景技术

随着集成电路的发展，集成度不断提高，每芯片包含的晶体管的数量也不断的增多。为了保证较小的芯片面积，芯片内无法容纳足够的引脚数量，因此衍生出了扇出型的封装方法。

扇出型封装通过再布线技术，将I/O从芯片内引到芯片外，解决了封装芯片与印刷线路板能够形成互连的问题。此方法在保证功能，互联性和可靠性的同时，降低了功耗，体重比和产品成本，不断扩大其应用领域，是目前具有很强竞争力的技术方案。

但是现有扇出封装因存在基板、插入件及底部填充等问题，增加了封装体厚度，无法充分体现薄型封装的优势。

发明内容

发明目的：本发明的目的在于解决现有技术中存在的不足，提供一种多芯片扇出型封装方法及封装结构，本发明能够实现多芯片封装，同时保持高产品可靠性。

技术方案：本发明的一种多芯片扇出型封装方法，包括以下步骤：

步骤一、在透明载板的表面涂覆复合分离层，然后在复合分离层上溅射一定厚度的金属层；

步骤二、在金属层上通过多次光刻、溅射和电镀形成再布线金属线路层及对应的上层金属焊盘；

步骤三、将芯片整体减薄到目标厚度后进行划片，然后在各独立芯片的底部制作芯片焊盘；

步骤四、将多个芯片通过芯片焊盘焊接到再布线金属线路层的上层金属焊盘上，并对焊盘之间的空隙做底部填充形成填充层；

步骤五、将上述所得结构压置于塑封模具中，然后使用塑封料将对步骤四所得结构塑封形成包封体，包封体尺寸大于晶圆尺寸，所述包封体包括覆盖于芯片和再布线金属线路层的第一部分以及环绕于晶圆外围的第二部分；

步骤六、使用环形切割将包封体的第二部分切除，剩余的第一部分形成塑封层，该塑封层尺寸与晶圆尺寸一致；

步骤七、将切割后的塑封晶圆依次进行去除载板、去除紫外膜和去胶清洗的操作；

步骤八、翻转经步骤七处理后的塑封晶圆，然后腐蚀去除金属层，露出再布线金属线路层底部的导线；

步骤九、先溅射一层金属膜覆盖在再布线金属线路层上靠近去掉载体的一侧，再通过光刻、电镀工艺形成若干底层金属凸块，底层金属凸块与再布线金属线路层底部的导线相连通；

步骤十、将经步骤九处理后的塑封晶圆整体减薄至目标厚度，贴膜后再进行切割成若干单颗独立封装体，不进行去膜处理。

进一步地，步骤一中的金属层为铝、钛、铜中的一种或多种，通过在复合分离层上溅射该金属层能够在用激光解键合时进行遮挡激光，以免后续步骤中激光直接照射在再布线金属线路层上损伤线路层。

进一步地，所述步骤五中对再布线金属线路层和芯片进行塑封的具体过程为：

提供一层尺寸大于芯片尺寸的塑封膜，然后将步骤四所得结构放到塑封膜上并压住该塑封膜，然后放置于塑封模具中，该塑封模具包括上模具以及与其适配的下模具，下模具开口朝上；

将待塑封样品放置下模具内且载板在底部，同时在待塑封样品与下模具内壁之间设置辅助膜，盖上上模具塑封形成塑封层。

进一步地，所述下模具的内径大于载板的直径。

进一步地，所述辅助膜由PET制成，辅助膜整体形状与下模具内表面相适配。