[发明专利]一种用于太阳能电池的环境友好型扩散源在审
申请号: | 202111352418.5 | 申请日: | 2021-11-16 |
公开(公告)号: | CN114068315A | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 王孟 | 申请(专利权)人: | 南京欣之禾安全技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/225;H01L31/18;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 安徽专烨知识产权代理有限公司 34194 | 代理人: | 陈静 |
地址: | 210046 江苏省南京市栖霞区八卦*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 太阳能电池 环境友好 扩散 | ||
本发明公开了一种用于太阳能电池的环境友好型扩散源,属于半导体领域,一种用于太阳能电池的环境友好型扩散源,环境友好型扩散源包括有溶剂、氧化硅纳米球前驱源、杂质源和添加剂,溶剂为无水乙醇或异丙醇,氧化硅纳米球前驱源为甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷以及正硅烷乙酯中的任一一种,杂质源为扩散硼源或扩散磷源,添加剂为氨水、氨气以及液氨中的任一一种,可以通过环境友好型扩散源能够有效解决其在硅片衬底上扩散不均匀的问题,降低扩散不良品的出现,提高了太阳能电池的效率,并且氧化硅纳米球能够有助于改善扩散层掺杂均匀性。
技术领域
本发明涉及半导体领域,更具体地说,涉及一种用于太阳能电池的环境友好型扩散源。
背景技术
太阳能电池是一种利用光生伏特效应把光能转换成电能的器件,又叫光伏器件,主要有单晶硅电池和单晶砷化镓电池等,在晶体硅太阳电池制造领域,通过扩散在P型或N型的硅片上形成P-N结是非常关键的工艺步骤,P-N结的质量直接决定了太阳电池效率的高低。
随着晶体硅太阳电池向大尺寸和超薄化方向发展,管式扩散造成的P-N结在整个硅片表面分布得不均匀越来越成为电池效率难以提高的瓶颈,链式扩散以其诸多的优点,在晶体硅制造领域的适用范围越来越广。
链式扩散工艺通常会采用磷酸来作为扩散源,并采用喷涂或印刷的方式来将扩散源涂敷在硅片表面,然后通过链式炉进行热处理来形成P-N结,但是现有的扩散源在于硅片衬底进行配合时,由于扩散源的流动性,使扩散源易扩散的不均匀,导致扩散不良品的出现,进而降低了太阳能电池的效率。
发明内容
1.要解决的技术问题
针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种用于太阳能电池的环境友好型扩散源,可以通过环境友好型扩散源能够有效解决其在硅片衬底上扩散不均匀的问题,降低扩散不良品的出现,提高了太阳能电池的效率。
2.技术方案
为解决上述问题,本发明采用如下的技术方案。
一种用于太阳能电池的环境友好型扩散源,所述环境友好型扩散源包括有溶剂、氧化硅纳米球前驱源、杂质源和添加剂,所述溶剂为无水乙醇或异丙醇,所述氧化硅纳米球前驱源为甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷以及正硅烷乙酯中的任一一种,所述杂质源为扩散硼源或扩散磷源,所述添加剂为氨水、氨气以及液氨中的任一一种,通过环境友好型扩散源能够有效解决其在硅片衬底上扩散不均匀的问题,降低扩散不良品的出现,提高了太阳能电池的效率。
进一步的,所述氧化硅纳米球前驱源包括有催化包膜,所述催化包膜内设置有多个氧化硅纳米球,且多个氧化硅纳米球之间均连接有催化链,且催化包膜和催化链均与添加剂相反应,通过催化包膜和催化链与添加剂产生催化作用,使得氧化硅纳米球扩散出来,进而提高了制备环境友好型扩散源过程中的均匀性,降低环境友好型扩散源混合难度,并且在沉积与硅片衬底时,氧化硅纳米球能够有助于改善扩散层掺杂均匀性。
进一步的,所述氧化硅纳米球外端固定连接有多个吸附触角,所述吸附触角上固定连接有互斥凸起,通过吸附触角能够提高氧化硅纳米球与硅片衬底的吸附效果,提高环境友好型扩散源连接效率,并且互斥凸起能够有效避免氧化硅纳米球产生堆叠粘结,进一步提高了氧化硅纳米球的沉积均匀性。
进一步的,所述环境友好型扩散源的使用方法为:
S1.预先将选用合适的溶剂、氧化硅纳米球前驱源、杂质源和添加剂溶解混合为环境友好型扩散源;
此时在添加剂催化作用使得催化包膜和催化链分解,使得氧化硅纳米球裸露分布在溶液内;
S2.将配制完成的环境友好型扩散源输送至沉积设备中,通过沉积设备上的沉积引喷嘴将环境友好型扩散源沉积在硅片衬底上;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造