[发明专利]离子作用多功能蒸发溅射源

说明书

本发明公开了一种离子作用多功能蒸发溅射源，其中，所述离子作用多功能蒸发溅射源包括基座，以及堆叠设置于所述基座上的磁场分布组件、水冷组件、气体供给组件和阴极组件，所述磁场分布组件用于给所述阴极组件提供磁场；所述气体供给组件用于向所述阴极组件内供给反应气体或者惰性气体。本申请公开的蒸发溅射源工作时，通过气体供给组件向阴极组件内供气，通过阴极组件内部产生放电使进入阴极组件的气体发生电离，从而与靶材反应，有利于蒸发成膜，提高镀膜效果。

技术领域

本发明涉及镀膜设备技术领域，特别是涉及离子作用多功能蒸发溅射源。

背景技术

目前，随着工业技术的不断发展，镀膜技术也在不断进步。通过镀膜改变物体表面的光学性能、化学性能、物理性能等等，有利于提高物体的外表美观，减缓腐蚀，减少损坏风险，延长使用寿命。现有的镀膜技术中磁控溅射镀膜技术作为近十几年来发展迅速的一种表面薄膜技术，它是利用磁场控制辉光放电产生的等离子体来轰击出靶材表面的粒子并使其沉积到基体表面的一种技术；磁控溅射具有成膜膜层薄、成膜速度快、可实现大面积成膜、受表面形状影响小等等诸多优点，具有广泛应用前景，但同时磁控溅射对于工作环境的要求也非常高，磁控溅射的靶体需要置于纯净环境中进行蒸发溅射镀膜，否则容易与气体环境中的杂质反应，影响成膜效果。

但是，目前的磁控溅射成膜过程中都是预先抽出反应腔内的空气，形成真空环境并直接在真空环境内蒸发靶材，最后工件上形成的膜层容易出现膜质不良，致密性不好等等成膜效果不佳的缺陷。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供离子作用多功能蒸发溅射源，旨在解决真空环境中蒸发靶材导致成膜效果不佳的问题。

本发明的技术方案如下：

一种离子作用多功能蒸发溅射源，其中，包括基座，以及堆叠设置于所述基座上的磁场分布组件、水冷组件、气体供给组件和阴极组件，所述磁场分布组件用于给所述阴极组件提供磁场；所述气体供给组件用于向所述阴极组件内供给反应气体或者惰性气体。

所述的离子作用多功能蒸发溅射源，其中，所述气体供给组件包括绝缘分气板和气体引进管，所述绝缘分气板设于所述水冷组件上背离所述磁场分布组件的一侧，所述阴极组件设于所述绝缘分气板上背离所述水冷组件的一侧；所述气体引进管与所述绝缘分气板连接，用于进气。

所述的离子作用多功能蒸发溅射源，其中，所述绝缘分气板上朝向所述阴极组件的一侧设有多个出气口，多个所述出气口阵列排布在所述绝缘分气板上。

所述的离子作用多功能蒸发溅射源，其中，所述气体供给组件还包括测温结构，所述测温结构设于所述绝缘分气板上，用于对所述出气口进行测温。

所述的离子作用多功能蒸发溅射源，其中，所述绝缘分气板为氧化铝陶瓷绝缘分气板。

所述的离子作用多功能蒸发溅射源，其中，所述基座上形成有向上开口的容纳腔，所述磁场分布组件固定在所述容纳腔内，并且所述水冷组件固定在所述容纳腔的开口处，用于闭合所述容纳腔。

所述的离子作用多功能蒸发溅射源，其中，所述磁场分布组件包括磁控主体和调整连接杆，所述调整连接杆一端固定在所述基座上，另一端与所述磁控主体连接，并且所述调整连接杆可伸缩，用于调控所述磁控主体的高度。

所述的离子作用多功能蒸发溅射源，其中，所述水冷组件包括水冷板、金属密封进水端子和金属密封出水端子，所述水冷板安装在所述基座上，并且所述水冷板内形成有水冷循环通道，所述水冷循环通道的进水端与所述金属密封进水端子连接，所述水冷循环通道的出水端与所述金属密封出水端子连接。