[发明专利]一种充电MOS管保护电路

权利要求书

1.一种充电MOS管保护电路，其特征在于，包括：

充电MOS管驱动电路单元、充电MOS管损坏检测电路单元、放电MOS管关闭驱动电路单元；

所述充电MOS管驱动电路单元与所述充电MOS管损坏检测电路单元连接，所述充电MOS管损坏检测电路单元通过检测所述充电MOS管驱动电路单元的充电MOS管栅极电流，判断所述充电MOS管驱动电路单元的充电MOS管是否损坏；

所述放电MOS管关闭驱动电路单元与所述充电MOS管损坏检测电路单元连接，用于在所述充电MOS管损坏检测电路单元检测到所述充电MOS管驱动电路单元的充电MOS管损坏时，所述放电MOS管关闭驱动电路单元关闭所述放电MOS管驱动电路单元的放电。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述充电MOS管驱动电路单元包括：

第一电源、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管、第五电阻、第二电源；

所述第一电源与所述第一电阻的第一端连接；

所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端、第一三极管的基极连接；

所述第二电阻的第二端接地；

所述第三电阻的第一端与所述充电MOS管损坏检测电路单元连接；

所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端、充电MOS管损坏检测电路单元连接；

所述第四电阻的第二端与所述第一三极管的集电极连接；

所述第一三极管的发射极与所述第五电阻的第一端连接；

所述第五电阻的第二端接地；

所述第二电源与所述第三电阻的第一端连接。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述充电MOS管损坏检测电路单元包括：

第二三极管、第一二极管、第六电阻、第二二极管、第七电阻、第三三极管、第一信号端、第二信号端；

所述第二三极管的基极与所述第三电阻的第二端、第四电阻的第一端连接，所述第二三极管的集电极与所述第三电阻的第一端、第二电源连接，所述第二三极管的发射极与所述第一二极管的第一极连接；

所述第一二极管的第二端与所述第六电阻的第一端、放电MOS管关闭驱动电路单元连接；

所述第六电阻的第二端与所述第二二极管的第一端、第三三极管的基极、第七电阻的第一端、放电MOS管关闭驱动电路单元连接；

所述第二二极管的第二端与所述第三三极管的集电极、第一信号端连接；

所述第七电阻的第二端与所述第二信号端连接；

所述第三三极管的发射极与所述第二信号端连接。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述放电MOS管关闭驱动电路单元包括：

第八电阻、第一电容、第二电容、第九电阻、第四三极管、第三二极管、第四二极管、第十电阻、第十一电阻、第三电容、第五三极管、第三信号端；

所述第八电阻的第一端与所述第六电阻的第二端连接；

所述第八电阻的第二端与所述第一电容的第二端、第二电容的第二端、第九电阻的第二端、第四三极管的基极连接；

所述第一电容的第一端、第二电容的第一端、第九电阻的第一端、第四三极管的集电极与所述第六电阻的第一端连接；

所述第四三极管的发射极与所述第三二极管的第一端连接；

所述第三二极管的第二端与所述第十电阻的第一端连接；

所述第十电阻的第二端与所述第三电容的第一端、第十一电阻的第一端、第五三极管的基极连接；

所述第三电容的第二端、第十一电阻的第二端、第五三极管的发射极接地；

所述第四二极管的第一端与所述第三信号端连接；

所述第四二极管的第二端与所述第五三极管的集电极连接。