[发明专利]邦定结构及显示装置在审
申请号: | 202111356188.X | 申请日: | 2021-11-16 |
公开(公告)号: | CN114078945A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 张国君;赵文;刘幸一;韩乐乐;刘友会;郑天春 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 显示装置 | ||
1.一种邦定结构,其特征在于,包括:
第一基板,在所述第一基板一侧设有多个间隔设置的第一电极;
第二基板,在所述第二基板和所述第一电极相对的一侧设置有多个第二电极,且各个所述第二电极之间通过绝缘层间隔设置,所述绝缘层上设置有至少一个第一凹槽;
导电胶层,所述导电胶层至少填充于相对的所述第一电极和所述第二电极之间、所述第一基板和所述绝缘层之间并填充于所述第一凹槽。
2.根据权利要求1所述的邦定结构,其特征在于,在平行于所述第二基板所在平面的平面内,所述第一凹槽靠近所述第二基板一端的横截面面积大于所述第一凹槽远离所述第二基板一端的横截面面积。
3.根据权利要求1所述的邦定结构,其特征在于,在所述第一电极朝向所述第二基板的一侧表面上设置有第二凹槽,从所述第一基板指向所述第二基板的方向上,所述第二凹槽的横截面面积逐渐减小,所述第二凹槽内填充有所述导电胶层;和/或,
在所述第二电极朝向所述第一基板的一侧表面上设置有第三凹槽,从所述第一基板指向所述第二基板的方向上,所述第三凹槽的横截面面积逐渐增大,所述第三凹槽内填充有所述导电胶层。
4.根据权利要求3所述的邦定结构,其特征在于,所述第一电极朝向所述第二基板的一侧表面上设置有第二凹槽时,从所述第一基板指向所述第二基板的方向上,所述第二凹槽的横截面面积逐渐减小;或,
所述第二电极朝向所述第一基板的一侧表面上设置有第三凹槽时,从所述第一基板指向所述第二基板的方向上,所述第三凹槽的横截面面积逐渐增大。
5.根据权利要求3所述的邦定结构,其特征在于,所述第二电极朝向所述第一基板的一侧表面上设置有第三凹槽时,所述第二凹槽和所述第三凹槽正对设置,且所述第二凹槽和所述第三凹槽相对的一侧横截面面积相等。
6.根据权利要求5所述的邦定结构,其特征在于,所述第一凹槽、所述第二凹槽、所述第三凹槽均呈梯形凹槽;
优选的,所述梯形凹槽为等腰梯形凹槽。
7.根据权利要求1所述的邦定结构,其特征在于,相对的所述第一电极和所述第二电极中的一者设有第四凹槽,所述第一电极和所述第二电极中的另一者和所述第四凹槽相匹配,以卡接于所述第四凹槽内。
8.根据权利要求1所述的邦定结构,其特征在于,所述绝缘层内设置有多条导线,各所述导线分别和所述第二电极电连接,且所述导线在所述第二基板上的正投影和所述第一凹槽在所述第二基板上的正投影不重叠。
9.根据权利要求1所述的邦定结构,其特征在于,在沿平行于所述第二基板所在平面的方向上,所述第一凹槽的最大宽度为5μm~30μm。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至9任一项所述的邦定结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的