[发明专利]基板处理装置和基板处理方法在审
申请号: | 202111357630.0 | 申请日: | 2021-11-16 |
公开(公告)号: | CN114551284A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 渡边刚史;土山正志;榎木田卓;山本太郎 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其中,
该基板处理装置包括:
载体模块,其供收纳基板的载体载置;
一个处理模块,自所述载体模块向该一个处理模块输送所述基板,该一个处理模块包括:多个第1处理组件,其分别处理所述基板;和第1输送机构,其共用于所述多个第1处理组件地输送所述基板;
另一处理模块,其与所述一个处理模块重叠,并且自该另一处理模块向所述载体模块输送所述基板,该另一处理模块包括:多个第2处理组件,其分别处理所述基板;和第2输送机构,其共用于所述多个第2处理组件地输送所述基板;
升降移载机构,其包括:轴,其沿横向延伸;和支承部,其具备与所述基板相对并进行支承的支承面,并且该支承部自该轴沿与所述轴的延伸方向交叉的方向延伸,使所述轴和所述支承部在用于相对于所述第1输送机构交接所述基板的第1位置和用于相对于所述第2输送机构交接所述基板的第2位置之间升降;以及
转动机构,其使所述支承部绕所述轴转动,以使所述支承部的朝向在第1朝向和第2朝向之间变化,该第1朝向用于在所述第1位置、所述第2位置分别交接所述基板,该第2朝向的所述支承面相对于水平面的倾斜度比所述第1朝向大,以在所述第1位置与所述第2位置之间移动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述一个处理模块包括第1基板载置部,该第1基板载置部载置所述基板,以相对于所述第1输送机构交接该基板,
所述另一处理模块包括第2基板载置部,该第2基板载置部载置所述基板,以相对于所述第2输送机构交接该基板,
所述第1位置、所述第2位置分别是相对于所述第1基板载置部、所述第2基板载置部交接所述基板的位置。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其中,
所述第2朝向是所述支承面的作为所述轴侧的基端侧相对于顶端侧位于下方的位置并且相对于铅垂面倾斜的朝向。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其中,
在所述支承部,对所述支承面而言的基端侧相对于该支承面隆起,而形成防止所述基板自所述支承面的基端侧落下的防落下部。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
在所述支承面开设有用于抽吸并保持所述基板的抽吸孔。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置包括:抽吸通路,其与所述抽吸孔连接;压力检测部,其检测所述抽吸通路的压力;和保持异常检测部,其基于所述检测到的压力来检测所述基板的保持有无异常。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述支承部自所述轴向前后的一侧延伸,
利用所述第1输送机构输送所述基板的第1输送区域相对于所述轴位于前后的一侧并且向左右的一侧延伸,沿着该第1输送区域的延伸方向分别设有所述多个第1处理组件,
利用所述第2输送机构输送所述基板的第2输送区域相对于所述轴位于前后的一侧并且向左右的一侧延伸,沿着该第2输送区域的伸长方向分别设有所述多个第2处理组件。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
在对所述轴而言的前后的另一侧,设有所述第1处理组件或第2处理组件的附加设备。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述一个处理模块由一个左侧处理模块、一个右侧处理模块构成,该一个左侧处理模块、一个右侧处理模块均具备所述多个第1处理组件、所述第1输送机构,且以能够互相交接所述基板的方式左右排列,
所述另一处理模块由另一左侧处理模块、另一右侧处理模块构成,该另一左侧处理模块、另一右侧处理模块均具备所述多个第2处理组件、所述第2输送机构,且以能够互相交接所述基板的方式左右排列,
一个左侧处理模块与另一左侧处理模块互相重叠,一个右侧处理模块与另一右侧处理模块互相重叠。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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