[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。抑制基板处理装置的占地面积。基板处理装置包括：载体模块，其载置收纳基板的载体；一个处理模块，自载体模块向一个处理模块输送基；另一处理模块，其与一个处理模块重叠并且自另一处理模块向载体模块输送基板；升降移载机构，其具备沿横向延伸的轴和与基板相对并进行支承的支承面，使轴和支承部在用于相对于第1处理模块输送机构交接基板的位置和用于相对于第2处理模块交接基板的位置之间升降；以及转动机构，其使支承部绕轴转动，以当升降移载部位于第1区域和第2区域时使支承面成为第1朝向，当升降移载部在第1区域与第2区域之间升降时使支承面成为相对于水平面的倾斜度大于第1朝向的第2朝向。

技术领域

本公开涉及基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

在半导体器件的制造工序中，将半导体晶圆(以下记载为晶圆)在各种处理组件之间输送而进行液处理、加热处理等各处理。在专利文献1中记载有一种包含处理模块的涂布装置，该处理模块均包括：多个单位模块，其均设有多个处理组件并且互相层叠；以及主臂，其设于每个单位模块，以在处理组件之间输送晶圆。在该例子中，构成为，形成SOC膜、防反射膜、抗蚀膜的单位模块自下层侧各层叠有两层。而且，记载有，按照形成SOC膜的单位模块、形成防反射膜的单位模块、形成抗蚀膜的单位模块的顺序自下层朝向上层输送晶圆，层叠三种膜，而进行成膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-208004号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供能够抑制基板处理装置的占地面积的技术。

用于解决问题的方案

本技术方案的基板处理装置包括：

载体模块，其供收纳基板的载体载置；

一个处理模块，自所述载体模块向该一个处理模块输送所述基板，该一个处理模块包括：多个第1处理组件，其分别处理所述基板；和第1输送机构，其共用于所述多个第1处理组件地输送所述基板；

另一处理模块，其与所述一个处理模块重叠，并且自该另一处理模块向所述载体模块输送所述基板，该另一处理模块包括：多个第2处理组件，其分别处理所述基板；和第2输送机构，其共用于所述多个第2处理组件地输送所述基板；

升降移载机构，其包括：轴，其沿横向延伸；和支承部，其具备与所述基板相对并进行支承的支承面，并且该支承部自该轴沿与所述轴的延伸方向交叉的方向延伸，使所述轴和所述支承部在用于相对于所述第1输送机构交接所述基板的第1位置和用于相对于所述第2输送机构交接所述基板的第2位置之间升降；以及

转动机构，其使所述支承部绕所述轴转动，以使所述支承部的朝向在第1朝向和第2朝向之间变化，该第1朝向用于在所述第1位置、所述第2位置分别交接所述基板，该第2朝向的所述支承面相对于水平面的倾斜度比所述第1朝向大，以在所述第1位置与所述第2位置之间移动。

发明的效果

本公开能够抑制基板处理装置的占地面积。

附图说明

图1是本公开的实施方式的基板处理装置的横剖俯视图。

图2是所述基板处理装置的纵剖主视图。

图3是所述基板处理装置的纵剖主视图。

图4是所述基板处理装置的左侧视图。

图5是所述基板处理装置的纵剖侧视图。

图6是所述基板处理装置的纵剖侧视图。

图7是表示设于所述基板处理装置的升降移载机构的侧视图。