[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202111357872.X | 申请日: | 2021-11-16 |
公开(公告)号: | CN113948566A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 王丽娟 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/84;H01L23/13 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括:
形成衬底基板,所述衬底基板包括第一区域和第二区域,所述第一区域至少部分围绕所述第二区域,所述衬底基板还包括第一衬底层和第二衬底层,位于所述第二区域的所述第一衬底层靠近所述第二衬底层的一侧表面呈凹凸不平状,所述第二衬底层完全覆盖所述第一衬底层;
在所述衬底基板靠近所述第二衬底层的一侧形成驱动电路层;
在所述驱动电路层远离所述衬底基板的一侧形成有机发光层;
在所述有机发光层远离所述驱动电路层的一侧形成薄膜封装层。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述形成衬底基板,包括:
形成第一衬底材料层;
在所述第一衬底材料层的一侧形成保护层,并对位于所述第二区域的所述第一衬底材料层进行构图工艺,形成所述第一衬底层;
在所述保护层远离所述第一衬底层的一侧形成阻隔层;
在所述阻隔层远离所述保护层的一侧形成第二衬底层;
优选地,在所述阻隔层远离所述保护层的一侧形成第二衬底层后,还包括:在所述第二衬底层远离所述阻隔层的一侧形成缓冲层。
3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述形成衬底基板,包括:
形成第一衬底材料层;
在所述第一衬底材料层的一侧形成保护层,并对位于所述第二区域的所述第一衬底材料层进行构图工艺,形成所述第一衬底层;
去除所述保护层,并在所述第一衬底层的表面呈凹凸不平状的一侧形成阻隔层;
在所述阻隔层远离所述第一衬底层的一侧形成第二衬底层;
优选地,在所述阻隔层远离所述第一衬底层的一侧形成第二衬底层后,还包括:在所述第二衬底层远离所述阻隔层的一侧形成缓冲层。
4.根据权利要求1-3中任一所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述衬底基板靠近所述第二衬底层的一侧形成驱动电路层后,且在所述有机发光层远离所述驱动电路层的一侧形成薄膜封装层前,还包括:
采用激光切割的方式对所述衬底基板的所述第二区域进行打孔,其中,所述衬底基板的所述第一区域作为所述显示面板的显示区,所述衬底基板未被打孔去除的所述第二区域作为所述显示面板的过渡区,所述衬底基板被打孔去除的所述第二区域作为所述显示面板的打孔区。
5.根据权利要求1-3中任一所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述有机发光层远离所述驱动电路层的一侧形成薄膜封装层后,还包括:
采用激光切割的方式对所述衬底基板的所述第二区域进行打孔,其中,所述衬底基板的所述第一区域作为所述显示面板的显示区,所述衬底基板未被打孔去除的所述第二区域作为所述显示面板的过渡区,所述衬底基板被打孔去除的所述第二区域作为所述显示面板的打孔区。
6.根据权利要求2或3所述的显示面板的制备方法,其特征在于,位于所述第二区域的所述第一衬底层形成有多个凹陷部。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,
多个所述凹陷部的深度相等;或者,沿所述第一区域指向所述第二区域的方向,多个所述凹陷部的深度依次增大;或者,沿所述第一区域指向所述第二区域的方向,多个所述凹陷部的深度依次增小;或者,所述凹陷部包括第一子凹陷部和第二子凹陷部,沿所述第一区域指向所述第二区域的方向,所述第一子凹陷部和所述第二子凹陷部交替排列,所述第一子凹陷部的深度大于所述第二子凹陷部的深度;
优选地,所述凹陷部的最小深度大于或者等于所述第一衬底层厚度的一半;
优选地,所述凹陷部的形状呈半球、立方体、三棱锥、多棱锥中的至少一项。
8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,位于所述凹陷部内的所述第二衬底层的厚度小于或者等于位于所述凹陷部外的所述第二衬底层的厚度。
9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板采用如权利要求1-8中任一所述的显示面板的制备方法制备。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的