[发明专利]芯片ROMKEY的版图结构和芯片在审

专利信息
申请号: 202111357982.6 申请日: 2021-11-16
公开(公告)号: CN114334951A 公开(公告)日: 2022-04-12
发明(设计)人: 赵奇;李德建;王于波;高雪莲;武超;冯曦;甘杰 申请(专利权)人: 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网江苏省电力有限公司;国家电网有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/00;G06F21/72;G06F30/394
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 花丽
地址: 102200 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 芯片 romkey 版图 结构
【权利要求书】:

1.一种芯片ROMKEY的版图结构,其特征在于,包括:

M个第一逻辑版图区,所述第一逻辑版图区用于实现第一逻辑功能;

N个第二逻辑版图区,所述第二逻辑版图区用于实现第二逻辑功能;

两个边缘版图区,所述边缘版图区用于在芯片布线时,实现与芯片内其他结构的对接;

其中,M、N均为正整数,M个所述第一逻辑版图区和N个所述第二逻辑版图区按照预设顺序排列,并位于两个所述边缘版图区之间,用以实现M+N位ROM密钥。

2.如权利要求1所述的芯片ROMKEY的版图结构,其特征在于,所述第一逻辑版图区包括:第一NWELL区域、第一PPLUS区域、第一NPLUS区域、第一有源区、第二有源区、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第一连接孔、第二连接孔、第三连接孔和第四连接孔,其中,

所述第一有源区、所述第一金属层、所述第一连接孔和所述第二连接孔均位于所述第一PPLUS区域,所述第二有源区、所述第三连接孔、所述第四连接孔和所述第三金属层均位于所述第一NPLUS区域,所述第一金属层通过所述第一连接孔与所述第一有源区连接,所述第二金属层通过所述第二连接孔与所述第一有源区连接,所述第二金属层还通过所述第三连接孔和所述第四连接孔与所述第二有源区连接,所述第一金属层用以连接芯片电源,所述第三金属层用以连接芯片的地。

3.如权利要求2所述的芯片ROMKEY的版图结构,其特征在于,所述第一逻辑版图区还包括:

第一电阻标识层,所述第一电阻标识层位于所述第一连接孔和所述第二连接孔之间,且覆盖在所述第一有源区上方。

4.如权利要求2所述的芯片ROMKEY的版图结构,其特征在于,所述第二逻辑版图区包括:第二NWELL区域、第二PPLUS区域、第二NPLUS区域、第三有源区、第四有源区、第四金属层、第五金属层、第六金属层、第五连接孔、第六连接孔、第七连接孔和第八连接孔,其中,

所述第三有源区、所述第四金属层、所述第五连接孔和所述第六连接孔均位于所述第二PPLUS区域,所述第四有源区、所述第七连接孔、所述第八连接孔和所述第六金属层均位于所述第二NPLUS区域,所述第五金属层通过所述第五连接孔和所述第六连接孔与所述第三有源区连接,所述第五金属层还通过所述第七连接孔与所述第四有源区连接,所述第六金属层通过所述第八连接孔与所述第四有源区连接,所述第四金属层用以连接芯片电源,所述第六金属层用以连接芯片的地。

5.如权利要求4所述的芯片ROMKEY的版图结构,其特征在于,所述第二逻辑版图区还包括:

第二电阻标识层,所述第二电阻标识层位于所述第七连接孔和所述第八连接孔之间,且覆盖在所述第四有源区上方。

6.如权利要求4所述的芯片ROMKEY的版图结构,其特征在于,所述边缘版图区包括:第三NWELL区域、第三PPLUS区域、第三NPLUS区域、第七金属层和第八金属层,其中,所述第七金属层位于所述第三PPLUS区域,用以连接芯片电源,所述第八金属层位于所述第三NPLUS区域,用以连接芯片的地。

7.如权利要求5所述的芯片ROMKEY的版图结构,其特征在于,所述第一有源区沿第一方向延伸,所述第二有源区沿第二方向延伸,所述第一有源区和所述第二有源区均相对所述第一逻辑版图区的中轴线对称,其中,所述第一方向与所述第二方向垂直。

8.如权利要求7所述的芯片ROMKEY的版图结构,其特征在于,

所述第一金属层呈T字形,并相对所述第一逻辑版图区的中轴线对称,且与所述第一逻辑版图区的两侧相交,两交点用于连接其他逻辑版图区或边缘版图区的用以连接芯片电源的金属层,所述第一金属层沿所述第一方向的一端通过所述第一连接孔与所述第一有源区靠近所述第一金属层的一端连接;

所述第二金属层沿所述第一方向延伸,所述第二金属层的一端通过所述第二连接孔与所述第一有源区远离所述第一金属层的一端连接;

所述第三金属层沿所述第二方向延伸,并与所述第一逻辑版图区的两侧相交,两交点用于连接其他逻辑版图区或边缘版图区的用以连接芯片的地的金属层。

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