[发明专利]氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜

权利要求书

1.一种氧化物溅射靶，所述氧化物溅射靶包含钨(W)、钼(Mo)和氧(O)，其特征在于，所述氧化物溅射靶的相对密度为90％以上。

2.如权利要求1所述的氧化物溅射靶，其中，所述氧化物溅射靶含有钼氧化物，所述钼氧化物为MoO₂。

3.如权利要求2所述的氧化物溅射靶，其特征在于，在将MoO₂相的归属于(110)面的XRD峰强度设为I_MoO2、并将背景的XRD平均强度设为I_BG时，I_MoO2/I_BG为3.0以上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的氧化物溅射靶，其中，所述氧化物溅射靶含有钨氧化物，所述钨氧化物为WO₃。

5.如权利要求4所述的氧化物溅射靶，其特征在于，在将WO₃相的归属于(202)面的XRD峰强度设为I_WO3、并将背景的XRD平均强度设为I_BG时，I_WO3/I_BG为3.0以上。

6.如权利要求1～5中任一项所述的氧化物溅射靶，其中，W和Mo的含有比率以原子％计满足0.10≤W/(W+Mo)＜1.0。

7.如权利要求1～6中任一项所述的氧化物溅射靶，其中，所述氧化物溅射靶的体积电阻率为1Ω·cm以下。

8.一种氧化物溅射靶的制造方法，其为权利要求1～7中任一项所述的氧化物溅射靶的制造方法，其中，将氧化钨粉末与氧化钼粉末混合，并在800℃以上且1000℃以下对该混合粉末进行热压烧结，从而制造氧化物溅射靶。

9.如权利要求8所述的氧化物溅射靶的制造方法，其中，使用MoO₂作为所述氧化钼粉末。

10.一种氧化物薄膜，其为使用权利要求1～7中任一项所述的氧化物溅射靶进行溅射成膜而得到的氧化物薄膜，其中，所述氧化物薄膜的功函数为4.5eV以上。