[发明专利]氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜

说明书

本发明涉及氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜。一种氧化物溅射靶，所述氧化物溅射靶包含钨(W)、钼(Mo)和氧(O)，其特征在于，所述氧化物溅射靶的相对密度为90％以上。本发明的目的在于提供一种能够形成功函数高的膜的氧化物溅射靶。

技术领域

本发明涉及适合于形成功函数高的氧化物薄膜的氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜。

背景技术

ITO(氧化铟锡)被用作有机电致发光(有机EL)元件等发光元件中的透明电极(阳极)。通过对阳极施加电压而注入的空穴经由空穴传输层在发光层中与电子结合。近年来，为了提高向空穴传输层的电荷注入效率，在研究使用功函数比ITO高的氧化物。例如，在非专利文献1中，报道了TiO₂、MoO₂、CuO、NiO、WO₃、V₂O₅、CrO₃、Ta₂O₅、Co₃O₄等高功函数的薄膜作为有机半导体器件中的氧化物薄膜。

如非专利文献1所示，WO₃具有比较高的功函数。该WO₃膜可以使用包含氧化钨烧结体的溅射靶进行成膜(专利文献1、2)，但是由于在WO₃单相的情况下难以实现烧结体的高密度化、并且体积电阻率高，因此难以进行DC溅射。因此，在专利文献2中公开了通过在WO₃中添加WO₂，实现烧结体的高密度化，并且提高导电性，从而能够进行DC溅射。需要说明的是，在专利文献3、4中公开了包含W和Mo的氧化物的氧化物溅射靶。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平3-150357号公报

专利文献2：日本特开2013-76163号公报

专利文献3：日本特开2017-25348号公报

专利文献4：日本特开2004-190120号公报

非专利文献

非专利文献1：Mark T Greiner and Zheng-Hong Lu，“Thin-Film metal oxidesin organic semiconductor devices：their electronic structures，work functionsand interfaces”，NPG Asia Materials(2013年)5，e55，2013年7月19日

发明内容

发明所要解决的问题

如上所述，作为构成有机EL等有机半导体器件的膜，要求功函数高的氧化物膜。WO₃、MoO₃均作为具有高功函数的材料而广为人知，但是两种材料均难以制造单相且高密度的溅射靶。由此，本发明为了解决上述问题而提出，其目的在于提供一种能够形成功函数高的膜的高密度的溅射靶。

用于解决问题的手段

本发明为了解决上述问题而提出，能够解决该问题的本发明的一个方式为如下氧化物溅射靶，所述氧化物溅射靶包含钨(W)、钼(Mo)和氧(O)，其特征在于，所述氧化物溅射靶的相对密度为90％以上。

发明效果

根据本发明，具有如下优异效果：能够制造相对密度高的氧化物溅射靶，并且能够使用这样的氧化物溅射靶制造功函数高的氧化物薄膜。

具体实施方式