[发明专利]芯片转移方法

权利要求书

1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供表面形成有多个LED芯片的生长基板；

将所述LED芯片转移至暂态基板，所述LED芯片远离所述暂态基板的一侧具有裸露的第一表面；

在所述暂态基板上形成连接所述LED芯片的支撑层，并在所述暂态基板中形成贯穿通道；

向所述第一表面施加作用力，以使各所述LED芯片通过所述贯穿通道转移至目标基板。

2.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，各所述LED芯片包括外延结构、第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极位于所述外延结构远离所述生长基板的一侧；

在将所述LED芯片转移至所述暂态基板的步骤之后，所述外延结构位于所述第一电极和所述第二电极远离所述暂态基板的一侧，且所述外延结构具有所述第一表面。

3.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，将所述LED芯片转移至所述暂态基板的步骤包括：

通过胶层将所述LED芯片键合在所述暂态基板上，以使所述生长基板位于所述LED芯片远离所述暂态基板的一侧；

剥离所述生长基板，以使所述第一表面裸露。

4.如权利要求3所述的芯片转移方法，其特征在于，在所述暂态基板上形成连接部分所述第一表面的所述支撑层的步骤之前，所述芯片转移方法还包括以下步骤：

去除所述暂态基板上位于相邻所述LED芯片之间所述胶层。

5.如权利要求1至4中任一项所述的芯片转移方法，其特征在于，所述LED芯片具有环绕所述第一表面的第一侧面，在所述暂态基板上形成连接所述LED芯片的所述支撑层的步骤中，所述支撑层连接部分所述第一表面和/或至少部分所述第一侧面。

6.如权利要求5所述的芯片转移方法，其特征在于，在所述暂态基板上形成连接所述LED芯片的所述支撑层的步骤包括：

在所述暂态基板上形成包裹所述LED芯片的支撑预备层；

将位于所述第一表面上的所述支撑预备层图形化，以使至少部分所述第一表面裸露，剩余的所述支撑预备层构成所述支撑层。

7.如权利要求1至4中任一项所述的芯片转移方法，其特征在于，在所述暂态基板中形成所述贯穿通道的步骤包括：

将所述暂态基板图形化，以在所述暂态基板中形成与所述LED芯片一一对应的多个所述贯穿通道，在平行于所述暂态基板的方向上，各所述贯穿通道的最小截面尺寸大于各所述LED芯片的最大截面尺寸。

8.如权利要求1至4中任一项所述的芯片转移方法，其特征在于，所述暂态基板包括硅基板、碳化硅基板和砷化镓基板中的任一种。

9.如权利要求1至4中任一项所述的芯片转移方法，其特征在于，所述贯穿通道的深度为H₁，在所述贯穿通道的深度方向上，所述LED芯片的高度为H₂，H₁＞H₂。

10.如权利要求1至4中任一项所述的芯片转移方法，其特征在于，向所述第一表面施加作用力，以使各所述LED芯片通过所述贯穿通道转移至目标基板的步骤包括：

提供目标基板，所述目标基板的一侧表面具有目标区域；

将所述暂态基板设置于所述目标基板上，以使所述LED芯片位于所述暂态基板远离所述目标基板的一侧并与所述目标区域对应；

向所述第一表面施加作用力，以使所述LED芯片通过所述贯穿通道转移至所述目标区域。