[发明专利]芯片转移方法

说明书

本申请涉及一种芯片转移方法。该芯片转移方法包括以下步骤：提供表面形成有多个LED芯片的生长基板；将LED芯片转移至暂态基板，LED芯片远离暂态基板的一侧具有裸露的第一表面；在暂态基板上形成连接LED芯片的支撑层，并在暂态基板中形成贯穿通道；向第一表面施加作用力，以使各LED芯片通过贯穿通道转移至目标基板。采用本申请的上述芯片转移方法，利用LED芯片自身的重力实现了向目标基板的转移，能够大大提高芯片转移良率；并且，利用本申请上述芯片转移工艺，通过将贯穿通道的位置与预修复的目标位置对应，通过向LED芯片施加作用力，还可以实现目标位置处缺失芯片的修复。

技术领域

本申请涉及芯片巨量转移技术领域，尤其涉及一种芯片转移方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)是新兴的显示技术，相对比常规的显示技术，以Micro-LED技术为核心的显示具有响应速度快，自主发光、对比度高、使用寿命长、光电效率高等特点。

在Micro-LED产业技术中巨量转移技术为核心关键技术，通过高精度设备将大量Micro-LED晶粒转移到目标基板或者电路上。其中，巨转成本、良率、精度是巨量转移成功的关键。

目前，Micro-LED的巨量转移技术按照原理的不一样分为多个技术流派，包括静电力、凡德瓦力、磁力、激光选择性转移、流体转移以及直接转印。这些方式芯片转移到基板上后，容易在目标位置处出现空位，从而影响芯片转移良率，还需要修复目标位置处缺失的芯片。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片转移方法，旨在解决现有技术中芯片转移工艺影响芯片转移良率的问题。

一种芯片转移方法，包括以下步骤：

提供表面形成有多个LED芯片的生长基板；

将LED芯片转移至暂态基板，LED芯片远离暂态基板的一侧具有裸露的第一表面；

在暂态基板上形成连接所述LED芯片的支撑层，并在暂态基板中形成贯穿通道；

向第一表面施加作用力，以使各LED芯片通过贯穿通道转移至目标基板。

采用本申请的上述芯片转移方法，将LED芯片转移至暂态基板，LED芯片远离暂态基板的一侧具有裸露的第一表面，通过在暂态基板上形成连接LED芯片的支撑层，并在暂态基板中形成贯穿通道，然后向第一表面施加作用力，以使各LED芯片通过贯穿通道转移至目标基板，从而利用LED芯片自身的重力实现了向目标基板的转移，能够大大提高芯片转移良率；并且，利用本申请上述芯片转移工艺，通过将贯穿通道的位置与预修复的目标位置对应，通过向LED芯片施加作用力，还可以实现目标位置处缺失芯片的修复。

可选地，各LED芯片包括外延结构、第一电极和第二电极，第一电极和第二电极位于外延结构远离生长基板的一侧；在将LED芯片转移至暂态基板的步骤之后，外延结构位于第一电极和第二电极远离暂态基板的一侧，且外延结构具有第一表面。上述发光器件可以为倒装结构，从而无需引线将电极与显示背板连接，有利于缩小发光器件之间的距离，进而有利于提高显示面板的PPI。

可选地，将LED芯片转移至暂态基板的步骤包括：通过胶层将LED芯片键合在暂态基板上，以使生长基板位于LED芯片远离暂态基板的一侧；剥离生长基板，以使第一表面裸露。形成上述胶层的材料可以为现有技术中常规的光解胶或热解胶，通过涂布工艺形成覆盖暂态基板的胶层，在后续可以通过热处理或光照将胶层去除，工艺简单，易于实施。

可选地，在暂态基板上形成连接部分第一表面的支撑层的步骤之前，芯片转移方法还包括以下步骤：去除暂态基板上位于相邻LED芯片之间胶层。通过将相邻LED芯片之间胶层去除，在后续形成支撑层的步骤中，支撑层能够与暂态基板直接连接，从而使支撑层能够更稳固地连接在暂态基板上。