[发明专利]半导体超结功率器件在审
| 申请号： | 202111359635.7 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN116137283A | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;刘磊;袁愿林;王睿 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 岳晓萍 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 | ||
1.半导体超结功率器件，其特征在于，包括终端区和元胞区，所述元胞区包括：
n型漏区、n型漂移区和多个p型柱，所述多个p型柱中的每个p型柱的宽度相等，且相邻的两个所述p型柱之间的间距相等；
所述多个p型柱中的每个所述p型柱的顶部分别设有与所述p型柱一一对应的p型体区，所述p型体区的宽度均相等；
所述p型体区内设有n型源区，控制所述n型源区与所述n型漂移区之间的电流沟道的开启和关断的栅极结构；
位于所述n型漂移区上方且介于相邻的所述p型体区之间的JFET区，所述JFET区设有两种或两种以上的不同宽度。
2.根据权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述JFET区的宽度依次设为：C、C+1D、C、C+1D、C、…；或者依次设为：C、C+1D、…、C+nD、C+(n-1)D、…、C、C+1D、…、C+nD、C+(n-1)D、…、C、…；或者依次设为：C、C、…、C+1D、C+1D、…、C+nD、C+nD、…、C+(n-1)D、C+(n-1)D、…、C、C、…，其中：n≥2且n为整数，C为JFET区的基本宽度且C0；D为JFET区的变化的宽度且D0。
3.根据权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述栅极结构包括覆盖电流沟道区和所述JFET区的栅介质层，以及位于所述栅介质层之上的栅极。
4.根据权利要求1所述的半导体超结功率器件，其特征在于，所述栅极结构包括覆盖电流沟道区的栅介质层，以及位于所述栅介质层之上的栅极，所述栅极在所述JFET区上方断开。
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