[发明专利]芯片、晶圆封装方法及封装结构在审
申请号: | 202111363274.3 | 申请日: | 2021-11-17 |
公开(公告)号: | CN113972182A | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 刘在福;曾昭孔;郭瑞亮;陈武伟 | 申请(专利权)人: | 苏州通富超威半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/492 | 分类号: | H01L23/492;H01L23/488;H01L21/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 唐嘉 |
地址: | 215021 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 方法 结构 | ||
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:
芯片,所述芯片表面具有第一焊垫;
基板,所述基板表面具有第二焊垫;
位于所述芯片表面的第一钝化层,所述第一钝化层内具有若干第一开口,所述若干第一开口暴露出所述第一焊垫;
位于所述基板表面的第二钝化层,所述第二钝化层内具有若干第二开口,所述若干第二开口暴露出所述第二焊垫;
所述芯片和所述基板相焊接,所述第一钝化层和所述第二钝化层通过粘合层相粘合;
位于所述第一开口和所述第二开口内的焊结点,所述焊结点联结所述第一焊垫和所述第二焊垫。
2.一种晶圆封装结构,其特征在于,包括:
第一晶圆,所述第一晶圆表面具有第一焊垫;
第二晶圆,所述第二晶圆表面具有第二焊垫;
位于所述第一晶圆表面的第一钝化层和所述第一钝化层内的第一开口,所述第一开口暴露出所述第一焊垫;
位于所述第二晶圆表面的第二钝化层,所述第二钝化层内具有若干第二开口,所述若干第二开口暴露出所述第二焊垫;
所述第一晶圆和所述第二晶圆相键合,所述第一钝化层和所述第二钝化层通过粘合层相粘合;
位于所述第一开口和所述第二开口内的焊结点,所述焊结点联结所述第一焊垫和所述第二焊垫。
3.一种芯片封装方法,其特征在于,包括:
提供晶圆,所述晶圆表面具有第一焊垫;
提供基板,所述基板表面具有第二焊垫;
在所述晶圆表面形成第一钝化层和若干第一焊料凸点,所述第一钝化层内具有若干第一开口,一个所述第一开口围绕在一个所述第一焊料凸点外侧,且所述第一焊料凸点位于所述第一焊垫上;
在所述基板表面形成第二钝化层和若干第二焊料凸点,所述第二钝化层内具有若干第二开口,一个所述第二开口围绕在一个所述第二焊料凸点外侧,且所述第二焊料凸点位于所述第二焊垫上;
形成所述第一焊料凸点和所述第二焊料凸点后,在所述第一钝化层和所述第二钝化层中的一者或两者表面形成粘合层;
切割所述晶圆获取待封装的芯片;
将所述第一焊料凸点朝向所述第二焊料凸点,对所述芯片和所述基板进行焊接,所述焊接过程中,所述第一焊料凸点和所述第二焊料凸点相粘结形成焊结点,所述第一钝化层和所述第二钝化层通过所述粘合层相粘合。
4.如权利要求3所述的芯片封装方法,其特征在于,所述第一焊料凸点的形成方法包括:在所述第一焊垫上形成若干初始第一焊料凸点;形成所述若干初始第一焊料凸点后,在所述晶圆表面形成所述第一钝化层和所述若干第一开口,一个所述第一开口围绕在一个所述初始第一焊料凸点外侧;形成所述第一钝化层后,采用焊料回流工艺使所述初始第一焊料凸点形成所述第一焊料凸点。
5.如权利要求4所述的芯片封装方法,其特征在于,所述第一钝化层和第一开口的形成方法包括:形成所述初始第一焊料凸点后,在所述晶圆表面形成第一钝化材料层,所述第一钝化材料层位于所述初始第一焊料凸点侧壁;刻蚀所述第一钝化材料层,形成所述第一钝化层和所述第一开口。
6.如权利要求4所述的芯片封装方法,其特征在于,所述初始第一焊料凸点包括第一凸柱、位于所述第一凸柱表面的第一附着层以及位于所述第一附着层上的初始第一焊料层;所述第一焊料凸点包括所述第一凸柱、位于所述第一凸柱表面的所述第一附着层以及位于所述第一附着层上的第一焊料层。
7.如权利要求3所述的芯片封装方法,其特征在于,所述第二焊料凸点的形成方法包括:在所述第二焊垫上形成若干初始第二焊料凸点;形成所述初始第二焊料凸点后,在所述基板表面形成所述第二钝化层和所述若干第二开口,一个所述第二开口围绕在一个所述初始第二焊料凸点外侧;形成所述第二钝化层后,采用焊料回流工艺使所述初始第二焊料凸点形成所述第二焊料凸点。
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