[发明专利]芯片、晶圆封装方法及封装结构

说明书

一种芯片、晶圆封装方法及封装结构，其中芯片封装方法包括：形成所述第一焊料凸点和所述第二焊料凸点后，在所述第一钝化层和所述第二钝化层中的一者或两者表面形成粘合层；切割所述晶圆获取待封装的芯片；将所述第一焊料凸点朝向所述第二焊料凸点，对所述芯片和所述基板进行焊接，所述焊接过程中，所述第一焊料凸点和所述第二焊料凸点相粘结形成焊结点，所述第一钝化层和所述第二钝化层通过所述粘合层相粘合，在所述焊接过程中，由于所述第一钝化层和所述第二钝化层阻挡了焊接材料的横向溢出，从而减少了因焊料溢出而产生的不同焊结点之间的桥连，进而提高了所形成的封装结构的可靠性，同时节省了工艺工序。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种芯片、晶圆封装方法及封装结构。

背景技术

目前集成电路互联的技术主要有三种：引线键合技术(Wire Bonding)、载带自动键合技术(Tape Automated bonding)、倒装芯片技术(Flip chip)。倒装芯片技术，是将芯片功能区朝下以倒扣的方式背对着基板通过焊料凸点(简称Bump)与基板进行互联，芯片放置方向与传统封装功能区朝上相反，故称倒装芯片。倒装封装大大提高了电子器件集成度，近几年倒装芯片已经称为高性能封装的互联方法，它的应用得到比较广泛快速的发展。

随着系统集成度不断提高，倒装芯片上凸点的尺寸和节距也变得越来越小，凸点节距小于100mm，甚至不大于10mm，从而导致凸点互联过程中，容易会出现产生焊料桥连等缺陷，使封装互连的可靠性降低。

因此，现有的芯片封装方法有待进一步提高。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种芯片、晶圆封装方法及封装结构，以提高封装互连的可靠性。

为解决上述技术问题，本发明技术方案提供一种芯片封装结构，包括：芯片，所述芯片表面具有第一焊垫；基板，所述基板表面具有第二焊垫；位于所述芯片表面的第一钝化层，所述第一钝化层内具有若干第一开口，所述若干第一开口暴露出所述第一焊垫；位于所述基板表面的第二钝化层，所述第二钝化层内具有若干第二开口，所述若干第二开口暴露出所述第二焊垫；所述芯片和所述基板相焊接，所述第一钝化层和所述第二钝化层通过粘合层相粘合；位于所述第一开口和所述第二开口内的焊结点，所述焊结点联结所述第一焊垫和所述第二焊垫。

相应地，本发明技术方案还提供一种晶圆封装结构，包括：第一晶圆，所述第一晶圆表面具有第一焊垫；第二晶圆，所述第二晶圆表面具有第二焊垫；位于所述第一晶圆表面的第一钝化层和所述第一钝化层内的第一开口，所述第一开口暴露出所述第一焊垫；位于所述第二晶圆表面的第二钝化层，所述第二钝化层内具有若干第二开口，所述若干第二开口暴露出所述第二焊垫；所述第一晶圆和所述第二晶圆相键合，所述第一钝化层和所述第二钝化层通过粘合层相粘合；位于所述第一开口和所述第二开口内的焊结点，所述焊结点联结所述第一焊垫和所述第二焊垫。

相应的，本发明的技术方案还提供一种芯片封装方法，包括：提供晶圆，所述晶圆表面具有第一焊垫；提供基板，所述基板表面具有第二焊垫；在所述晶圆表面形成第一钝化层和若干第一焊料凸点，所述第一钝化层内具有若干第一开口，一个所述第一开口围绕在一个所述第一焊料凸点外侧，且所述第一焊料凸点位于所述第一焊垫上；在所述基板表面形成第二钝化层和若干第二焊料凸点，所述第二钝化层内具有若干第二开口，一个所述第二开口围绕在一个所述第二焊料凸点外侧，且所述第二焊料凸点位于所述第二焊垫上；形成所述第一焊料凸点和所述第二焊料凸点后，在所述第一钝化层和所述第二钝化层中的一者或两者表面形成粘合层；切割所述晶圆获取待封装的芯片；将所述第一焊料凸点朝向所述第二焊料凸点，对所述芯片和所述基板进行焊接，所述焊接过程中，所述第一焊料凸点和所述第二焊料凸点相粘结形成焊结点，所述第一钝化层和所述第二钝化层通过所述粘合层相粘合。