[发明专利]包括桥的微电子结构在审

专利信息
申请号: 202111367083.4 申请日: 2021-11-18
公开(公告)号: CN114725054A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: O·G·卡尔哈德;B·单 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/492;H01L23/528;H01L25/04
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 林金朝
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 包括 微电子 结构
【权利要求书】:

1.一种微电子组件,包括:

衬底;以及

通过焊料互连耦合到所述衬底的微电子部件,其中,所述焊料互连包括第一部分和第二部分,所述第一部分在所述第二部分与所述衬底之间,并且所述第一部分具有研磨顶表面。

2.根据权利要求1所述的微电子组件,其中,所述第一部分具有在20微米与50微米之间的高度。

3.根据权利要求1所述的微电子组件,还包括:

桥部件,其中,所述微电子部件通过焊料耦合到所述桥部件,所述桥部件通过焊料耦合到所述衬底,并且所述桥部件至少部分地在所述衬底与所述微电子部件之间。

4.根据权利要求3所述的微电子组件,其中,所述微电子部件是第一微电子部件,所述焊料互连是第一焊料互连,并且所述微电子组件还包括:

通过第二焊料互连耦合到所述衬底的第二微电子部件,其中,所述第二焊料互连包括第一部分和第二部分,所述第二焊料互连的所述第一部分在所述第二焊料互连的所述第二部分与所述衬底之间,所述第二焊料互连的所述第一部分具有研磨顶表面,所述第二微电子部件通过焊料耦合到所述桥部件,并且所述桥部件至少部分地在所述衬底与所述第二微电子部件之间。

5.根据权利要求4所述的微电子组件,其中,所述第二焊料互连的所述第一部分具有在20微米与50微米之间的高度。

6.根据权利要求3所述的微电子组件,其中,所述桥部件的顶表面与所述焊料互连的所述第一部分的所述研磨顶表面共平面。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的微电子组件,其中,所述衬底包括有机电介质材料。

8.一种微电子组件,包括:

衬底;以及

通过焊料互连耦合到所述衬底的微电子部件,其中,各个焊料互连均包括第一部分和第二部分,并且所述第一部分与所述第二部分之间的界面在整个所述焊料互连上共平面。

9.根据权利要求8所述的微电子组件,还包括:

桥部件,其中,所述微电子部件通过焊料耦合到所述桥部件,所述桥部件通过焊料耦合到所述衬底,并且所述桥部件至少部分地在所述衬底与所述微电子部件之间。

10.根据权利要求9所述的微电子组件,其中,所述微电子部件是第一微电子部件,所述焊料互连是第一焊料互连,并且所述微电子组件还包括:

通过第二焊料互连耦合到所述衬底的第二微电子部件,其中,所述第二焊料互连包括第一部分和第二部分,所述第二焊料互连的所述第一部分在所述第二焊料互连的所述第二部分与所述衬底之间,所述第二焊料互连的所述第一部分具有研磨顶表面,所述第二微电子部件通过焊料耦合到所述桥部件,并且所述桥部件至少部分地在所述衬底与所述第二微电子部件之间。

11.根据权利要求9所述的微电子组件,其中,所述桥部件至少部分地在所述衬底中的腔体中。

12.根据权利要求9所述的微电子组件,其中,所述桥部件的顶表面与所述第一部分与所述第二部分之间的所述界面共平面。

13.根据权利要求9所述的微电子组件,其中,所述桥部件的顶表面与所述第一部分与所述第二部分之间的所述界面不共平面。

14.一种微电子组件,包括:

衬底;以及

通过互连耦合到所述衬底的微电子部件,其中,所述互连包括第一部分和第二部分,所述第一部分包括焊料,所述第一部分在所述第二部分与所述衬底之间,并且所述第一部分具有研磨顶表面。

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