[发明专利]包括桥的微电子结构在审
申请号: | 202111367083.4 | 申请日: | 2021-11-18 |
公开(公告)号: | CN114725054A | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | O·G·卡尔哈德;B·单 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/492;H01L23/528;H01L25/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 林金朝 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 微电子 结构 | ||
本文公开了包括桥的微电子结构以及相关的组件和方法。在一些实施例中,微电子结构可以包括衬底和桥。
背景技术
在常规微电子封装中,管芯可以通过焊料附接到有机封装衬底。例如,这种封装可能受限于封装衬底与管芯之间的可实现互连密度、可实现信号传递速度以及可实现小型化。
附图说明
通过以下具体实施方式,结合附图,将容易理解实施例。为了方便这种描述,类似的附图标记指示类似的结构元件。在附图的图中通过举例而非限制的方式示出了各实施例。
图1是根据各种实施例的示例性微电子结构的侧视截面图。
图2是根据各种实施例的包括图1的微电子结构的示例性微电子组件的侧视截面图。
图3-图10是根据各种实施例的用于图2的微电子组件的制造的示例性工艺中的各种阶段的侧视截面图。
图11是根据各种实施例的示例性微电子结构的侧视截面图。
图12是根据各种实施例的示例性微电子组件的侧视截面放大图。
图13-图14是根据各种实施例的示例性微电子组件的侧视截面图。
图15-图23是根据各种实施例的用于图13的微电子组件的制造的示例性工艺中的各种阶段的侧视截面图。
图24-图25是根据各种实施例的示例性微电子组件的侧视截面图。
图26-图33是根据各种实施例的用于图25的微电子组件的制造的示例性工艺中的各种阶段的侧视截面图。
图34-图35是根据各种实施例的示例性微电子组件的侧视截面图。
图36是根据各种实施例的具有研磨表面的焊料中的研磨标记的俯视图。
图37-图41是根据各种实施例的用于图35的微电子组件的制造的示例性工艺中的各种阶段的侧视截面图。
图42-图44是根据各种实施例的示例性微电子组件的侧视截面图。
图45-图52是根据各种实施例的用于图44的微电子组件的制造的示例性工艺中的各种阶段的侧视截面图。
图53是根据各种实施例的示例性微电子组件的侧视截面放大图。
图54是可以包括在根据本文公开的任何实施例的微电子结构或微电子组件中的晶圆和管芯的俯视图。
图55是可以包括根据本文公开的任何实施例的微电子结构或微电子组件的集成电路(IC)器件的侧视截面图。
图56是可以包括根据本文公开的任何实施例的微电子结构或微电子组件的IC器件组件的侧视截面图。
图57是可以包括根据本文公开的任何实施例的微电子结构或微电子组件的示例性电设备的框图。
具体实施方式
本文公开了包括桥的微电子结构以及相关的组件和方法。在一些实施例中,微电子结构可以包括衬底和在衬底的腔体中的桥。微电子部件可以耦合到衬底和桥两者。
为了在微电子封装中的实现高互连密度,一些常规方法需要昂贵的制造操作,例如,在面板规模上完成的在嵌入式桥之上的衬底层中的精细间距过孔形成和第一级互连电镀。本文公开的微电子结构和组件可以实现与常规方法一样高或更高的互连密度,而不以常规的昂贵的制造操作为代价。此外,本文公开的微电子结构和组件为电子器件设计者和制造者提供了新的灵活性,从而允许他们选择实现他们的器件目标的架构,而没有额外的成本或制造复杂性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111367083.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:包括桥接器的微电子结构
- 下一篇:一种增强指纹传感器单元灵敏度的方法