[发明专利]一种多芯片上多尺寸的微凸点制备方法

权利要求书

1.一种多芯片上多尺寸的微凸点制备方法，其特征在于，包括：

通过高精度装片工艺将多颗需要微凸点制备的芯片装载在临时键合膜上；

通过模塑工艺将装载在临时键合膜上的多颗芯片注塑成型，重构形成圆片；

将圆片上的临时键合膜进行解键合后，根据不同芯片的焊盘尺寸，通过光刻技术在重构后芯片的焊盘上形成不同开口尺寸的钝化层；

进行种子层溅射，为后续电镀工艺形成导电层，并提升电镀凸点的质量；

利用光刻胶在开口的焊盘上图像化出不同尺寸微凸点所需的电镀空间；

通过一次电镀完成重构后芯片上不同尺寸的微凸点；

通过不同溶液依次去除图像化后的光刻胶和种子层；

将重构圆片进行回流，完成不同尺寸微凸点的制备；

将圆片减薄后切割形成单颗芯片，最终完成多芯片上不同尺寸微凸点的制备。

2.如权利要求1所述的多芯片上多尺寸的微凸点制备方法，其特征在于，装载在临时键合膜上的芯片种类、数量和位置能够根据实际进行调整，多颗芯片形成一个单元，该单元的尺寸控制在30mm×30mm内，以保持重构单元的翘曲程度。

3.如权利要求2所述的多芯片上多尺寸的微凸点制备方法，其特征在于，溅射形成的种子层为钛铜混合材质，或钛铜镍混合材质，所述种子层的厚度依据实际工艺进行调整。

4.如权利要求3所述的多芯片上多尺寸的微凸点制备方法，其特征在于，利用光刻胶能够形成任意尺寸空间，根据需求定义芯片的焊盘和电镀开口的大小；通过控制各芯片上不同的焊盘尺寸开口，光刻形成不同尺寸的电镀空间，电镀不同体积的焊料，完成在各芯片焊盘上不同尺寸的微凸点制备。

5.如权利要求4所述的多芯片上多尺寸的微凸点制备方法，其特征在于，所述微凸点的成分为铜柱锡帽。