[发明专利]一种多芯片上多尺寸的微凸点制备方法

说明书

本发明公开一种多芯片上多尺寸的微凸点制备方法，属于集成电路封装领域。将多颗需要微凸点制备的芯片装载在临时键合膜上；将装载在临时键合膜上的多颗芯片注塑成型，重构形成圆片；将圆片上的临时键合膜进行解键合后，根据不同芯片的焊盘尺寸，在重构后芯片的焊盘上形成不同开口尺寸的钝化层；进行种子层溅射，为后续电镀工艺形成导电层，并提升电镀凸点的质量；利用光刻胶在开口的焊盘上图像化出不同尺寸微凸点所需的电镀空间；通过一次电镀完成重构后芯片上不同尺寸的微凸点；依次去除图像化后的光刻胶和种子层；将重构圆片进行回流，完成不同尺寸微凸点的制备；将圆片减薄后切割形成单颗芯片，最终完成多芯片上不同尺寸微凸点的制备。

技术领域

本发明涉及集成电路封装技术领域，特别涉及一种多芯片上多尺寸的微凸点制备方法。

背景技术

针对集成电路中高性能、高密度、小型化的发展需求，高端复杂芯片上的引出端尺寸不断减少、数量不断增加。晶圆级封装作为一种新兴的战略和主导的封装技术，通过在晶圆厂的晶圆上沉积再分布布线层，在其上方生长微凸点形成所需引出端，然后对封装好的晶圆进行分离，最后制备成准备用于板组装的晶圆级封装芯片。

微凸点的制备通过在晶圆上利用光刻技术刻蚀出所需尺寸的微凸点空间，利用电镀的方式完成微凸点制备。相较于传统晶圆级植球的方法，电镀可以实现更小尺寸的微凸点制备。

在晶圆级封装的微凸点制备中，常规工艺可以直接在完整晶圆上电镀细直径凸点。但伴随着全球芯片产能紧张和价格上涨问题，陆续出现芯片采购困难和库存短缺情况。当来料芯片为多颗单芯片而不是晶圆的情况下，无法直接高效完成单颗芯片上的微凸点制备。为节约流片时间和经济成本，亟需开发一种通过一次流片完成多颗芯片上不同尺寸的微凸点制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多芯片上多尺寸的微凸点制备方法，以解决目前无法在单芯片上简单高效制备微凸点的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种多芯片上多尺寸的微凸点制备方法，包括：

通过高精度装片工艺将多颗需要微凸点制备的芯片装载在临时键合膜上；

通过模塑工艺将装载在临时键合膜上的多颗芯片注塑成型，重构形成圆片；

将圆片上的临时键合膜进行解键合后，根据不同芯片的焊盘尺寸，通过光刻技术在重构后芯片的焊盘上形成不同开口尺寸的钝化层；

进行种子层溅射，为后续电镀工艺形成导电层，并提升电镀凸点的质量；

利用光刻胶在开口的焊盘上图像化出不同尺寸微凸点所需的电镀空间；

通过一次电镀完成重构后芯片上不同尺寸的微凸点；

通过不同溶液依次去除图像化后的光刻胶和种子层；

将重构圆片进行回流，完成不同尺寸微凸点的制备；

将圆片减薄后切割形成单颗芯片，最终完成多芯片上不同尺寸微凸点的制备。

可选的，装载在临时键合膜上的芯片种类、数量和位置能够根据实际进行调整，多颗芯片形成一个单元，该单元的尺寸控制在30mm×30mm内，以保持重构单元的翘曲程度。

可选的，溅射形成的种子层为钛铜混合材质，或钛铜镍混合材质，所述种子层的厚度依据实际工艺进行调整。

可选的，利用光刻胶能够形成任意尺寸空间，根据需求定义芯片的焊盘和电镀开口的大小；通过控制各芯片上不同的焊盘尺寸开口，光刻形成不同尺寸的电镀空间，电镀不同体积的焊料，完成在各芯片焊盘上不同尺寸的微凸点制备。

可选的，所述微凸点的成分为铜柱锡帽。