[发明专利]具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法

权利要求书

1.一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于，其包括，

N+衬底，其包括MOSFET漏极和二极管阴极；

N-外延层，其层叠于所述N+衬底的上表面，所述N-外延层的上表面设有MOSFET的栅极沟槽、多个MOSFET隔离沟槽和至少一个二极管隔离沟槽；

栅氧化层，其生成于所述N-外延层、栅极沟槽、MOSFET隔离沟槽和二极管隔离沟槽的表面；

多晶硅栅极，其淀积于所述栅极沟槽中；

MOSFET P型体区，其离子注入于所述N-外延层；

二极管的P型体区，其离子注入于所述N-外延层；

源极N+，其在所述N-外延层离子注入而成；

中间介质层，其层叠于所述栅氧化层及多晶硅栅极上，并且，从所述中间介质层到MOSFET P型体区，经由蚀刻形成MOSFET P型体区的接触孔，以及，从所述中间介质层到二极管的P型体区，经由蚀刻形成二极管P型体区的接触孔，其中，MOSFET P型体区的接触孔为多个，二极管P型体区的接触孔也为多个；

MOSFET源极，其在所述MOSFET P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成；

至少一个二极管阳极，其在所述二极管P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成，且所述至少一个二极管阳极与所述MOSFET源极的距离小于第一阈值且大于零，所述第一阈值由所述MOSFET结构的耐压等级以及二极管的耐压等级决定，所述MOSFET P型体区尺寸大于所述二极管的P型体区，每两个相邻的MOSFET隔离沟槽之间的距离相同，所有MOSFET隔离沟槽的宽度相同，且至少一个二极管隔离沟槽的宽度与任一MOSFET隔离沟槽的宽度相同。

2.根据权利要求1所述的一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于，所述至少一个二极管阳极围绕所述MOSFET源极分布。

3.根据权利要求1所述的一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于，对于所述MOSFET结构，经由控制IC测量所述MOSFET结构中二极管的漏电流以检测所述MOSFET结构的温度以及，当所述温度超过一阈值时通过所述控制IC关断所述MOSFET结构。

4.根据权利要求3所述的一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于，每两个相邻的二极管隔离沟槽之间的距离相同，且该距离和任意两个相邻的MOSFET隔离沟槽之间的距离也相同。

5.根据权利要求1所述的一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其特征在于，所述中间介质层包括无掺杂的硅玻璃和含有硼磷的硅玻璃，两者均采用化学气相淀积工艺形成。