[发明专利]具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法

说明书

本发明公开了一种具有温度检测功能的MOSFET结构，其中，N+衬底包括MOSFET漏极和二极管阴极，N‑外延层层叠于N+衬底的上表面，N‑外延层上表面设有MOSFET的栅极沟槽、多个MOSFET隔离沟槽和至少一个二极管隔离沟槽，栅氧化层生成于N‑外延层、栅极沟槽、隔离沟槽以及二极管隔离沟槽的表面，MOSFET源极在MOSFET P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成，至少一个二极管阳极在二极管P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成，至少一个二极管阳极与MOSFET源极的距离小于第一阈值且大于零，所述第一阈值由所述MOSFET结构的耐压等级以及二极管的耐压等级决定。

技术领域

本发明涉及电力电子元器件技术领域，尤其涉及一种具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法。

背景技术

功率MOSFET是电力电子系统中非常重要的核心器件，热损耗主要产生于功率MOSFET，特别是在大电流工作的场合，此种热损耗容易造成功率MOSFET的失效，导致整个电路系统不能工作，因此需要对整个电路系统进行温度检测。通过控制IC中的电路检测IC的温度，间接的检测整个系统的温度。但此种方法不能最直接，最精确的检测电路系统温度，IC的温度不能真实，精确的反映功率MOSFET的温度，容易造成MOSFET的热损坏。

在背景技术部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本发明背景的理解，因此可能包含不构成本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的目的是提供一种具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法，克服现有缺陷能够直接、真实，精确的反映功率MOSFET的温度。

为了实现上述目的，本发明提供一种具有温度检测功能的MOSFET结构包括，

N+衬底，其包括MOSFET漏极和二极管阴极；

N-外延层，其层叠于所述N+衬底的上表面，所述N-外延层的上表面设有MOSFET的栅极沟槽、多个MOSFET隔离沟槽和至少一个二极管隔离沟槽；

栅氧化层，其生成于所述N-外延层、栅极沟槽、MOSFET隔离沟槽和二极管隔离沟槽的表面；

多晶硅栅极，其淀积于所述栅极沟槽中；

MOSFET P型体区，其离子注入于所述N-外延层；

二极管的P型体区，其离子注入于所述N-外延层；

源极N+，其在所述N-外延层离子注入而成；

中间介质层，其层叠于所述栅氧化层及多晶硅栅极上，并且，从所述中间介质层到MOSFET P型体区，经由蚀刻形成MOSFET P型体区的接触孔，以及，从所述中间介质层到二极管的P型体区，经由蚀刻形成二极管P型体区的接触孔，其中，MOSFET P型体区的接触孔为多个，二极管P型体区的接触孔也为多个；

MOSFET源极，其在所述MOSFET P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成；

至少一个二极管阳极，其在所述二极管P型体区的接触孔中经由离子注入后气相淀积金属形成，且所述至少一个二极管阳极与所述MOSFET源极的距离小于第一阈值且大于零，所述第一阈值由所述MOSFET结构的耐压等级以及二极管的耐压等级决定。

优选的，

所述至少一个二极管阳极围绕所述MOSFET源极分布。

优选的，

对于所述MOSFET结构，经由控制IC测量所述MOSFET结构中二极管的漏电流以检测所述MOSFET结构的温度以及，当所述温度超过一阈值时通过所述控制IC关断所述MOSFET结构。

优选的，