[发明专利]磁传感器在审
| 申请号： | 202111376018.8 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114660514A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 远藤大三;富田浩幸 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李国卿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
1.磁传感器，其具备：
通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件；和
与所述感应元件相对地设置的集束构件，所述集束构件由软磁体构成，并且使来自外部的磁力线集束于所述感应元件。
2.如权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，对于所述集束构件而言，在与外部的磁力线的方向交叉的方向上，磁力线从外部进入的一侧的宽度比与所述感应元件相对的一侧的宽度大。
3.如权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，所述集束构件具备：与所述感应元件相对的相对部；和宽幅部，所述宽幅部设置于磁力线从外部进入的一侧，并且与外部的磁力线的方向交叉的方向上的宽度比所述相对部大。
4.如权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，所述集束构件具备：与所述感应元件相对的相对部；宽幅部，所述宽幅部设置于磁力线从外部进入的一侧，并且与外部的磁力线的方向交叉的方向上的宽度比所述相对部大；和延伸部，所述延伸部从所述宽幅部的端部向所述感应元件侧延伸。
5.如权利要求1至4中任一项所述的磁传感器，其特征在于，具备偏置磁场施加构件，所述偏置磁场施加构件以与所述集束构件接触或接近的方式设置，并且介由所述集束构件而对所述感应元件施加偏置磁场。
6.如权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，具备与所述感应元件相对地设置的发散构件，所述发散构件由软磁体构成，并且使透过了所述感应元件的磁力线向外部发散。
7.如权利要求6所述的磁传感器，其特征在于，对于所述发散构件而言，在与外部的磁力线的方向交叉的方向上，磁力线向外部发出的一侧的宽度比与所述感应元件相对的一侧的宽度大。
8.如权利要求6或7所述的磁传感器，其特征在于，所述发散构件具备：与所述感应元件相对的相对部；和宽幅部，所述发散构件的宽幅部设置于磁力线向外部发出的一侧，并且与外部的磁力线的方向交叉的方向上的宽度比所述发散构件的相对部大。
9.如权利要求6或7所述的磁传感器，其特征在于，所述发散构件具备：与所述感应元件相对的相对部；宽幅部，所述发散构件的宽幅部设置于磁力线向外部发出的一侧，并且与外部的磁力线的方向交叉的方向上的宽度比所述发散构件的相对部大；和延伸部，所述发散构件的延伸部从所述发散构件的宽幅部的端部向所述感应元件侧延伸。
10.如权利要求6至9中任一项所述的磁传感器，其特征在于，具备偏置磁场施加构件，所述偏置磁场施加构件以与所述发散构件接触或接近的方式设置，并且介由所述发散构件而对所述感应元件施加偏置磁场。
11.如权利要求6至10中任一项所述的磁传感器，其特征在于，所述感应元件具备基板和感应电路，所述集束构件及所述发散构件设置于所述基板的外部。
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