[发明专利]磁传感器

说明书

本发明涉及磁传感器。本发明的课题是提高使用了通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件的磁传感器的灵敏度。本发明的解决手段为，磁传感器(200)具备：通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件(10)；和与感应元件(10)相对地设置的集束构件(20)，所述集束构件(20)由软磁体构成，并且使来自外部的磁力线集束于感应元件(10)。

技术领域

本发明涉及磁传感器。

背景技术

作为公报中记载的现有技术，存在下述磁阻抗效应元件，其具备：薄膜磁铁，其形成于非磁性基板上，并且由硬磁体膜形成；绝缘层，其将前述薄膜磁铁的上部覆盖；和感磁部，其形成于前述绝缘层上，被赋予了单轴各向异性，并且由一个或多个长方形的软磁体膜形成(参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-249406号公报

发明内容

发明所要解决的课题

对于使用了通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件的磁传感器，要求对于磁场变化的灵敏度高。

本发明的目的在于提高使用了通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件的磁传感器的灵敏度。

用于解决课题的手段

应用了本发明的磁传感器具备：通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件；和与感应元件相对地设置的集束构件，所述集束构件由软磁体构成，并且使来自外部的磁力线集束于感应元件。

这样的磁传感器的特征可以在于，对于集束构件而言，在与外部的磁力线的方向交叉的方向上，磁力线从外部进入的一侧的宽度比与感应元件相对的一侧的宽度大。

而且，其特征可以在于，集束构件具备：与感应元件相对的相对部；和宽幅部，所述宽幅部设置于磁力线从外部进入的一侧，并且与外部的磁力线的方向交叉的方向上的宽度比相对部大。

或者，其特征可以在于，集束构件具备：与感应元件相对的相对部；宽幅部，所述宽幅部设置于磁力线从外部进入的一侧，并且与外部的磁力线的方向交叉的方向上的宽度比相对部大；和延伸部，所述延伸部从宽幅部的端部向感应元件侧延伸。

这样的磁传感器的特征可以在于，具备偏置磁场施加构件，所述偏置磁场施加构件以与集束构件接触或接近的方式设置，并且介由集束构件而对感应元件施加偏置磁场。

另外，应用了本发明的磁传感器的特征可以在于，具备与感应元件相对地设置的发散构件，所述发散构件由软磁体构成，并且使透过了感应元件的磁力线向外部发散。

这样的磁传感器的特征可以在于，对于发散构件而言，在与外部的磁力线的方向交叉的方向上，磁力线向外部发出的一侧的宽度比与感应元件相对的一侧的宽度大。

而且，其特征可以在于，发散构件具备：与感应元件相对的相对部；和宽幅部，所述宽幅部设置于磁力线向外部发出的一侧，并且与外部的磁力线的方向交叉的方向上的宽度比相对部大。

或者，其特征可以在于，发散构件具备：与感应元件相对的相对部；宽幅部，所述宽幅部设置于磁力线向外部发出的一侧，并且与外部的磁力线的方向交叉的方向上的宽度比相对部大；和延伸部，所述延伸部从宽幅部的端部向感应元件侧延伸。

这样的磁传感器的特征可以在于，具备偏置磁场施加构件，所述偏置磁场施加构件以与发散构件接触或接近的方式设置，并且介由发散构件而对感应元件施加偏置磁场。

另外，其特征可以在于，感应元件具备基板和感应电路，集束构件及发散构件设置于基板的外部。

发明的效果

根据本发明，能够提高使用了通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件的磁传感器的灵敏度。