[发明专利]存储控制器和包括存储控制器的存储设备

权利要求书

1.一种存储设备，包括：

存储器设备，至少包括第一单层单元SLC区域、第二SLC区域和至少一个具有多层的单元的区域，所述第一SLC区域具有比所述第二SLC区域更高的数据读取速度，并且所述第二SLC区域具有比所述至少一个具有多层的单元的区域更高的数据读取速度；以及

存储控制器，被配置为从所述存储器设备读取数据并且控制所述数据在所述第一SLC区域、所述第二SLC区域和所述至少一个具有多层的单元的区域之间的迁移。

2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储控制器还被配置为：

基于所述数据的特性控制所述数据在所述第一SLC区域、所述第二SLC区域和所述至少一个具有多层的单元的区域之间的迁移。

3.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述数据的特性包括以下中的至少一个：被编程到存储器设备的所述数据的写入时间、所述数据的读取计数或其任意组合。

4.根据权利要求3所述的存储设备，其中，所述存储控制器还被配置为：

响应于所述数据中所包括的错误的数量小于错误阈值并且所述数据的写入时间小于迁移阈值时间，将在所述第二SLC区域或所述至少一个具有多层的单元的区域上存储的所述数据迁移至所述第一SLC区域。

5.根据权利要求3所述的存储设备，其中，所述存储控制器还被配置为：

响应于所述数据中所包括的错误的数量大于或等于错误阈值并且所述数据的读取计数小于迁移阈值计数，保持在所述第二SLC区域或所述至少一个具有多层的单元的区域上存储的所述数据。

6.根据权利要求3所述的存储设备，其中，所述存储控制器还被配置为：

响应于所述数据的读取计数大于或等于迁移阈值计数，

将在所述第二SLC区域或所述至少一个具有多层的单元的区域中存储的所述数据迁移至所述第一SLC区域，以及

保持在第一SLC区域中存储的所述数据。

7.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述存储控制器还被配置为：

基于存储控制器的数据访问模式，动态地调整所述存储器设备的所述第一SLC区域、所述第二SLC区域和所述至少一个具有多层的单元的区域的大小。

8.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述至少一个具有多层的单元的区域包括多层单元MLC、三层单元TLC、四层单元QLC或其任何组合中的至少一个。

9.一种存储控制器的操作方法，包括：

从存储器设备的单层单元SLC区域读取数据；以及

基于所述数据的写入时间顺序和所述数据的读取计数来将所述数据迁移至所述存储器设备的具有多层的单元的区域，所述写入时间顺序指示所述数据被写入所述SLC区域的顺序，并且所述读取计数指示所述数据已经被读取的次数。

10.根据权利要求9所述的操作方法，其中

所述SLC区域还包括局部性队列区域；以及

所述方法还包括，

基于所述数据的特性将所述数据存储在所述局部队列区域中。

11.一种存储控制器，包括：

处理电路，被配置为：

发送针对数据的读取请求，所述数据存储在存储器设备中包括的第一单层单元SLC区域、第二SLC区域和具有多层的单元的区域中的一个中，所述第一SLC区域具有比所述第二SLC区域更高的数据读取速度，并且所述第二SLC区域具有比所述具有多层的单元的区域更高的数据读取速度；以及

基于所述数据的使用特性，改变所述数据在所述存储器设备中的存储位置。