[发明专利]存储控制器和包括存储控制器的存储设备在审
申请号: | 202111376486.5 | 申请日: | 2021-11-19 |
公开(公告)号: | CN114518843A | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 金焕;权宰暎;李在键;尹松虎;张实完 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈芳 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 控制器 包括 设备 | ||
一种存储设备可以包括:至少包括第一单层单元(SLC)区域、第二SLC区域和至少一个具有多层的单元的区域的至少一个存储器设备,第一SLC区域具有比第二SLC区域更高的数据读取速度,并且第二SLC区域具有比至少一个具有多层的单元的区域更高的数据读取速度;以及存储控制器,被配置为控制数据在第一SLC区域、第二SLC区域和至少一个具有多层的单元的区域之间的迁移。
技术领域
本发明构思的各种示例实施例涉及存储控制器、包括包含存储控制器的非易失性存储器的存储设备、和/或操作存储控制器的方法等。
背景技术
闪速存储器设备通过改变存储器单元的阈值电压来存储数据,并且使用期望的和/或预定的读取电平来读取数据。近来,包括闪速存储器的存储设备,诸如固态驱动器(SSD)、存储器卡等已经被广泛使用。这是因为闪速存储器是具有诸如低功耗和高集成度的期望的特性的非易失性设备。
在闪速存储器中,为了存储从主机发送的写入数据,根据写入数据的特性将写入数据存储在单层(single-level)单元区域的存储器块或者多层(multi-level)单元区域的存储器块中。
发明内容
本发明构思的各种示例实施例提供了具有改进的性能的存储控制器、包括该存储控制器的系统、和/或其操作方法。
本发明构思的至少一个示例实施例的方面提供了其中存储区域根据和/或基于数据的使用特性而改变的存储设备、包括该存储设备的系统、和/或其操作方法。
本发明构思的至少一个示例实施例提供了一种存储设备,该存储设备包括:存储器设备,至少包括第一单层单元(SLC)区域、第二SLC区域和至少一个具有多层的单元的区域,第一SLC区域具有比第二SLC区域更高的数据读取速度,并且第二SLC区域具有比至少一个具有多层的单元的区域更高的数据读取速度;以及存储控制器,被配置为从存储器设备读取数据并且控制数据在第一SLC区域、第二SLC区域和至少一个具有多层的单元的区域之间的迁移。
本发明构思的至少一个示例实施例提供了一种存储控制器的操作方法,包括:从存储器设备的单层单元(SLC)区域读取数据,并且基于数据的写入时间顺序和数据的读取计数来将数据迁移至存储器设备的具有多层的单元的区域,写入时间顺序指示数据被写入SLC区域的顺序,而读取计数指示数据已经被读取的次数。
本发明构思的至少一个示例实施例提供了一种存储控制器,包括处理电路,被配置为:发送针对存储器设备中包括的第一单层单元(SLC)区域、第二SLC区域和具有多层的单元的区域中的一个中所存储的数据的读取请求,第一SLC区域具有比第二SLC区域更高的数据读取速度,并且第二SLC区域具有比具有多层的单元的区域更高的数据读取速度;以及基于数据的使用特性,改变数据在存储器设备中的存储位置。
应当注意,本发明构思的示例实施例的特征不限于此,并且根据以下描述,与本发明构思的示例实施例相关的其他特征对于本领域普通技术人员将是明显的。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明构思的示例实施例,本发明构思的示例实施例的上述和其他的方面和特征将变得更加明显,在附图中:
图1是根据一些示例实施例的存储系统的示意框图。
图2是示出根据至少一个示例实施例的图1的存储控制器的框图。
图3是示出根据至少一个示例实施例的图1的存储器设备的框图。
图4是示出根据至少一个示例实施例的如图1所示的存储控制器的框图。
图5是示出根据至少一个示例实施例的如图3所示的存储设备的动态分配的概念图。
图6是示出根据一些示例实施例的存储系统的操作的图。
图7是示出根据一些示例实施例的存储系统的操作的图。
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