[发明专利]非互易电路元件在审
| 申请号： | 202111376577.9 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114824710A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 野津稔;仓元建二;寺胁武文;榎木雅人 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01P1/32 | 分类号： | H01P1/32 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非互易 电路 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种非互易电路元件，其特征在于，包括：
具有主面的亚铁磁性体；
多个中心导体，其以相互绝缘的状态配置在所述亚铁磁性体的主面；和
层叠磁铁，其是由含有Sr的铁氧体磁铁和含有Sm的稀土类磁铁层叠而成的，且与所述多个中心导体相对地配置，
所述层叠磁铁的剩余磁通密度的合成温度系数为-0.14％/℃以上-0.06％/℃以下。
2.如权利要求1所述的可逆电路元件，其特征在于：
所述亚铁磁性体具有40mT以上80mT以下的饱和磁通密度，所述饱和磁通密度的温度系数为-0.45％/℃以上-0.25％/℃以下。
3.如权利要求1或2所述的可逆电路元件，其特征在于：
所述稀土类磁铁的厚度与所述铁氧体磁铁和所述稀土类磁铁的合计厚度之比为1/4以上3/4以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的可逆电路元件，其特征在于：
在所述层叠磁铁中，所述铁氧体磁铁比所述稀土类磁铁靠近所述多个中心导体。
5.如权利要求1～4中任一项所述的可逆电路元件，其特征在于：
所述层叠磁铁的剩余磁通密度的合成温度系数为-0.12％/℃以上-0.08％/℃以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的可逆电路元件，其特征在于：
在所述非互易电路元件的插入损耗的频率特性中，主频带的谐振频率与最接近所述谐振频率的衰减极点在-40℃至125℃的温度范围内相距200MHz以上。
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