[发明专利]非互易电路元件

说明书

本发明提供一种适合于3GHz～6GHz频带的非互易电路元件。非互易电路元件包括：具有主面的亚铁磁性体(3)；多个中心导体(4、5、6)，其以相互绝缘的状态配置在亚铁磁性体的主面；和层叠磁铁，其是由含有Sr的铁氧体磁铁(2B)和含有Sm的稀土类磁铁(2A)层叠而成的，且与多个中心导体相对地配置，层叠磁铁的剩余磁通密度的合成温度系数为‑0.14％/℃以上‑0.06％/℃以下。亚铁磁性体优选具有40mT以上80mT以下的饱和磁通密度，该饱和磁通密度的温度系数为‑0.45％/℃以上‑0.25％/℃以下，并且亚铁磁性体为低铁磁共振半峰宽(ΔH＜2500A/m)。

技术领域

本发明涉及非互易电路元件。

背景技术

在非互易电路元件中有隔离器、循环器等，用于移动电话及其基站等的装置的收发电路。非互易电路元件是为了防止放大器的破损和获得直线性高且稳定的输出电力而使用的，具备信号的传送方向的插入损耗小且反方向上的传输损耗大那样的功能。例如，专利文献1公开有能够实现小型化的非互易电路元件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-267810号公报。

发明内容

发明所要解决的问题

随着信息通信技术的进步，要求能够传递更大容量的信息，移动电话通信等的信息通信网络中使用的电磁波的频率也使用能够进行大容量的信息传递的高频段。具体而言，需要能够应对被称为Sub-6频段的3GHz～6GHz频带的频率的非互易电路元件。

本发明的目的在于提供适合于3GHz～6GHz频带的非互易电路元件。

用于解决问题的技术手段

本发明的一个实施方式的非互易电路元件包括：具有主面的亚铁磁性体；多个中心导体，其以相互绝缘的状态配置在所述亚铁磁性体的主面；和层叠磁铁，其是由含有Sr的铁氧体磁铁和含有Sm的稀土类磁铁层叠而成的，且与所述多个中心导体相对地配置，所述层叠磁铁的剩余磁通密度的合成温度系数为-0.14％/℃以上-0.06％/℃以下。

所述亚铁磁性体也可以具有40mT以上80mT以下的饱和磁通密度，所述饱和磁通密度的温度系数为-0.45％/℃以上-0.25％/℃以下。

所述稀土类磁铁的厚度与所述铁氧体磁铁和所述稀土类磁铁的合计厚度之比也可以为1/4以上3/4以下。

在所述层叠磁铁中，也可以使所述铁氧体磁铁比所述稀土类磁铁靠近所述多个中心导体。

所述层叠磁铁的剩余磁通密度的合成温度系数也可以为-0.12％/℃以上-0.08％/℃以下。

在所述非互易电路元件的插入损耗的频率特性中，主频带的谐振频率与最接近所述谐振频率的衰减极点也可以在-40℃至125℃的温度范围内相距200MHz以上。

发明的效果

根据本发明的实施方式，能够提供适合于3GHz～6GHz频带的非互易电路元件。

附图说明

图1是表示本实施方式的非互易电路元件的一个方式的分解立体图。

图2表示5℃至125℃的温度范围内的层叠磁铁对亚铁磁性体的施加磁场强度。

图3A表示实施例1的非互易电路元件的VSWR和插入损耗的频率特性。

图3B表示实施例1的非互易电路元件的衰减度的频率特性。

图4A表示比较例1的非互易电路元件的VSWR和插入损耗的频率特性。

图4B表示比较例1的非互易电路元件的衰减度的频率特性。