[发明专利]一种元器件标识方法及结构在审
申请号: | 202111382190.4 | 申请日: | 2021-11-22 |
公开(公告)号: | CN114218691A | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 李慧;曾向东;姚斌;孔宇豪;林花铃 | 申请(专利权)人: | 深圳顺络电子股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/17 | 分类号: | G06F30/17 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 518110 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 元器件 标识 方法 结构 | ||
1.一种元器件标识方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1、在元器件上表面的基板层上设置第一标识层;
S2、与所述第一标识层相对应的元器件内部介质层至少设置一层中间标识层;
S3、与所述中间标识层相对应元器件下表面的基板层上设置第二标识层;
S4、将设置有所述第一标识层的元器件上表面的基板层、设置有所述中间标识层的介质层、设置有所述第二标识层的元器件下表面的基板层按照上中下顺序依次进行组合叠加烧结成型,使所述第一标识层、中间标识层、第二标识层结合成型为一体化标识图案。
2.根据权利要求1所述的元器件标识方法,其特征在于,所述步骤S1包括如下步骤:
S1-1、在元器件上表面的基板层上设置上凹槽;
S1-2、在所述上凹槽内印刷标识浆形成第一标识层。
3.根据权利要求2所述的元器件标识方法,其特征在于,所述步骤S2包括如下步骤:
S2-1、在与所述第一标识层相对应的元器件内部介质层至少设置一层上下面均为凹面连通的中间层凹槽,所述中间层凹槽的长度尺寸小于上凹槽;
S2-2、在所述中间层凹槽内印刷标识浆形成中间标识层。
4.根据权利要求3所述的元器件标识方法,其特征在于,所述步骤S3包括如下步骤:
S3-1、在与所述中间标识层相对应元器件下表面的基板层上设置下凹槽,所述下凹槽的长度尺度等于上凹槽;
S3-2、在所述下凹槽内印刷标识浆形成第二标识层。
5.一种元器件标识结构,其特征在于,包括:设置在元器件上表面的基板层上的第一标识层,与所述第一标识层相对应的元器件内部介质层至少设置一层中间标识层,与所述中间标识层相对应元器件下表面的基板层上设置第二标识层,所述第一标识层、中间标识层、第二标识层在元器件上表面的基板层、介质层、下表面的基板层、按照上中下顺序叠加烧结成型结合为一体化标识图案结构。
6.根据权利要求5所述的元器件标识结构,其特征在于,还包括在元器件上表面的基板层上设置上凹槽,所述上凹槽内印刷标识浆形成第一标识层。
7.根据权利要求6所述的元器件标识结构,其特征在于,还包括在与所述第一标识层相对应的元器件内部介质层至少设置一层上下面均为凹面连通的中间层凹槽,所述中间层凹槽内印刷标识浆形成中间标识层。
8.根据权利要求7所述的元器件标识结构,其特征在于,还包括在与所述中间标识层相对应元器件下表面的基板层上设置下凹槽,所述下凹槽内印刷标识浆形成第二标识层。
9.根据权利要求8所述的元器件标识结构,其特征在于,所述中间层凹槽的长度尺寸小于上凹槽、下凹槽的长度尺寸,且上凹槽和下凹槽的长度尺寸相等。
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