[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括从下至上依次设置的衬底（100）、具有PN台阶的外延层、第一电极层、第一绝缘层（600）和第二电极层；所述第一电极层包括至少一个第一P型电极（510）和至少一个第一N型电极（520）；所述第二电极层包括至少一个第二P型电极（710）和至少一个第二N型电极（720）；所述第一P型电极（510）通过所述第一绝缘层（600）上开设的第一通孔（511）与所述第二P型电极（710）电性连接，所述第一N型电极（520）通过所述第一绝缘层（600）上开设的第二通孔（521）与所述第二N型电极（720）电性连接；其特征在于，

所述第二P型电极（710）具有连接其上下表面的且临近所述N型半导体层（210）外缘的外侧面（711）；所述外侧面（711）上设置有至少一个用于减小所述第二电极层面积的内凹部（1410）；各所述内凹部（1410）的总面积占所述第二电极层面积的5~20%。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述内凹部（1410）设置于相邻的两个第一P型电极（510）之间。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于，所述内凹部（1410）的长度L1小于与其相邻的两个第一P型电极（510）之间的最大间距L2；

和/或，所述内凹部（1410）的宽度W大于或等于所述第一P型电极（510）的直径d。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，若所述发光元件整体为四方形，则所述外侧面（711）为四方形的外侧面；

四方形的外侧面中，至少有一侧的所述外侧面（711）上具有连续的所述内凹部（1410）；

或者，四方形的外侧面中，至少有相对的两侧的所述外侧面（711）上具有连续的所述内凹部（1410）；

或者，四方形的外侧面中，四侧的所述外侧面（711）上均具有连续的所述内凹部（1410）。

5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于，各所述连续的内凹部（1410）分别位于两两所述第一P型电极（510）之间。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，还包括位于所述第二电极层上的焊盘电极层，所述焊盘电极层包括与所述第二P型电极（710）电性连接的P焊盘电极（1310）以及与所述第二N型电极（720）电性连接的N焊盘电极（1320）。

7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于，还包括位于所述第二电极层与所述焊盘电极层之间的第二绝缘层（800），以将所述第二P型电极（710）与所述第二N型电极（720）绝缘；

所述P焊盘电极（1310）通过所述第二绝缘层（800）上开设的第三通孔（1100）与所述第二P型电极（710）电性连接，所述N焊盘电极（1320）通过所述第二绝缘层（800）上开设的第四通孔（1200）与所述第二N型电极（720）电性连接。

8.根据权利要求7所述的半导体发光器件，其特征在于，在所述第二绝缘层（800）与所述焊盘电极层之间，还设置有支撑层（900）和第三绝缘层（1000），所述支撑层（900）位于所述第二绝缘层（800）与所述第三绝缘层（1000）之间，所述第三绝缘层（1000）位于所述支撑层（900）与所述焊盘电极层之间。

9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其特征在于，所述支撑层包括P区支撑层、N区支撑层；所述P区支撑层覆盖所述第二P型电极（710）的区域；所述N区支撑层覆盖所述第二N型电极（720）的区域。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，还包括位于所述外延层与所述第一电极层之间的电流阻挡层（300）和电流扩展层（400），所述电流扩展层（400）位于所述电流阻挡层（300）之上。