[发明专利]半导体发光器件

说明书

本发明涉及发光二极管领域，公开了一种半导体发光器件，包括从下至上依次设置的衬底、外延层、第一电极层、第一绝缘层和第二电极层；第一电极层包括至少一个第一P型和第二N型电极；第二电极层包括至少一个第二P型和第二N型电极；第一与第二P型电极电性连接，第一与第二N型电极电性连接；第二P型电极的临近N型半导体层外缘的外侧面上设置有至少一个用于减小所述第二电极层面积的内凹部；各内凹部的总面积占第二电极层面积的5~20%。本申请在保证第一和第二P型电极正常的电性连接的情况下，通过在第二P型电极临近N型半导体层外缘的外侧面上设置内凹部，实现减小第二电极层的面积，提高芯片的反射率，从而提高芯片整体亮度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体发光器件。

背景技术

发光二极管（简称LED）是一种常用的发光器件，具有低电压、低功耗、体积小、寿命长等优点，广泛应用于照明和显示等领域。LED作为新一代光源，被广泛应用在照明、显示、背光乃至光通信等领域。倒装芯片作为更高光效的产品已经越来越受到市场的青睐，倒装芯片制程结构较多，工艺制程复杂，因此对可靠性有了更高的要求和挑战。

现阶段倒装LED高光效芯片第二电极层PN-Metal 层设计图形面积较大，覆盖了第一绝缘层约80%左右的面积，如图1至3所示，由于第二电极层的反射率相对传统支架的反射率较低，第二电极层的面积较大会降低芯片反射率，从而影响芯片的整体亮度。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

发明目的：针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种半导体发光器件，在保证第一P型电极和第二P型电极正常的电性连接的情况下，通过在第二P型电极临近N型半导体层外缘的外侧面上设置内凹部，以实现减小第二电极层的面积，提高芯片的反射率，从而提高芯片整体亮度。

技术方案：本发明提供了一种半导体发光器件，包括从下至上依次设置的衬底、具有PN台阶的外延层、第一电极层、第一绝缘层和第二电极层；所述第一电极层包括至少一个第一P型电极和至少一个第一N型电极；所述第二电极层包括至少一个第二P型电极和至少一个第二N型电极；所述第一P型电极通过所述第一绝缘层上开设的第一通孔与所述第二P型电极电性连接，所述第一N型电极通过所述第一绝缘层上开设的第二通孔与所述第二N型电极电性连接；所述第二P型电极具有连接其上下表面的、临近所述N型半导体层外缘的外侧面；所述外侧面上设置有至少一个用于减小所述第二电极层面积的内凹部；各所述内凹部的总面积占所述第二电极层面积的5~20%。

优选地，所述内凹部设置于相邻的两个第一P型电极之间。

优选地，所述内凹部的长度L1小于与其相邻的两个第一P型电极之间的最大间距L2。这样设计是为了达到在不影响第一P型电极与第二P型电极电性连接的前提下，尽量增大内凹部的长度，内缩第二电极层的面积，提高芯片的反射率，从而提高芯片整体亮度。

优选地，所述内凹部的宽度W大于或等于所述第一P电极的直径d。

优选地，若所述发光元件整体为四方形，则所述外侧面为四方形的外侧面；四方形的外侧面中，至少有一侧的外侧面上具有连续的所述内凹部；或者，四方形的外侧面中，至少有相对的两侧的外侧面上具有连续的所述内凹部；或者，四方形的外侧面中，四侧的外侧面上均具有连续的所述内凹部。内凹部的设置，即是将位于第二电极层边缘位置的至少一对相邻两个第二P型电极之间的第二电极层去除，以实现内缩减小第二电极层的面积，达到提高芯片的反射率、提高芯片整体亮度的目的。