[发明专利]显示装置和检查显示装置的缺陷的方法在审
申请号: | 202111384681.2 | 申请日: | 2021-11-19 |
公开(公告)号: | CN114566524A | 公开(公告)日: | 2022-05-31 |
发明(设计)人: | 朴承铉;郑胤谟 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/544;H01L21/66;G01N21/88;G01N27/20;G09G3/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王学强;张晓 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 检查 缺陷 方法 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括显示区域和与所述显示区域相邻的测试区域;
下电极,在所述显示区域中设置在所述基底上;
公共层,设置在所述下电极上;
上电极,设置在所述公共层上;以及
测试元件组,所述测试元件组包括:
多个电极图案,与所述下电极设置在同一层中并且在所述测试区域中设置在所述基底上;
测试公共层,与所述公共层设置在同一层中并且设置在所述多个电极图案上,其中,通过所述测试公共层限定多个开口以暴露所述多个电极图案中的每个电极图案的一部分;以及
电极层,与所述上电极设置在同一层中,在所述测试公共层上,并且通过所述开口与所述多个电极图案接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述测试元件组还包括:
多个导电图案,在所述测试区域中设置在所述基底上。
3.根据权利要求2所述的显示装置,所述显示装置还包括:
过孔层,设置在所述基底与所述多个电极图案之间,
其中,所述多个电极图案通过限定在所述过孔层中的接触孔分别电连接到所述多个导电图案。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述多个导电图案彼此间隔开,并且
所述多个电极图案彼此间隔开。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述测试区域围绕所述显示区域的至少一部分。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述公共层从所述显示区域延伸到所述测试区域,
所述公共层的在所述测试区域中的延伸部分限定所述测试公共层,
所述上电极从所述显示区域延伸到所述测试区域,并且
所述上电极的在所述测试区域中的延伸部分限定所述电极层。
7.一种用于检查显示装置的缺陷的方法,所述方法包括:
准备包括显示区域和与所述显示区域相邻的测试区域的基底;
在所述显示区域中在所述基底上设置下电极;
在所述测试区域中在所述基底上设置多个电极图案;
在所述下电极上设置公共层;
在所述多个电极图案上设置测试公共层;
通过去除所述测试公共层的一部分来形成暴露所述多个电极图案中的每个电极图案的一部分的多个开口;
在所述公共层上设置上电极;
在所述测试公共层上设置电极层;以及
测量所述开口的电阻。
8.根据权利要求7所述的方法,所述方法还包括:
在所述测试区域中在所述基底上设置多个导电图案。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述多个导电图案、所述多个电极图案、所述测试公共层和所述电极层共同限定测试元件组。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,测量所述电阻的步骤包括:
通过将电阻测量装置连接到所述多个导电图案之中的位于所述测试元件组的端部处的导电图案的一部分来测量所述开口的所述电阻。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的