[发明专利]用于纳米线晶体管的局部化间隔体及制造方法

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

第一沟道层，在第二沟道层上方，其中，所述第一沟道层和所述第二沟道层包括单晶硅；

外延源极结构，耦合到所述第一沟道层和所述第二沟道层的第一端；

外延漏极结构，耦合到所述第一沟道层和所述第二沟道层的第二端；

栅极，在所述外延源极结构与所述外延漏极结构之间，所述栅极在所述第一沟道层之上并且在所述第一沟道层与所述第二沟道层之间；

具有至少一个凸面侧壁的第一间隔体，包括第一材料，所述第一间隔体在所述栅极与所述外延源极结构和所述外延漏极结构中的每一个之间，其中，所述第一间隔体还在所述第一沟道层和所述第二沟道层之间；以及

第二间隔体，包括第二材料，所述第二间隔体在所述第一沟道层之上，其中，所述第二间隔体在所述栅极与所述外延源极结构和所述外延漏极结构中的每一个之间。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述晶体管在晶体管阵列中，其中，所述晶体管是所述晶体管阵列中的第一晶体管，其中，所述晶体管阵列包括基本上相同的第二晶体管，所述第二晶体管包括：

第三沟道层；

第四沟道层，在所述第三沟道层之上；以及

第三间隔体，在所述第三沟道层与所述第四沟道层之间，其中，所述第三间隔体包括外凸面侧壁，其中，所述第三间隔体的所述外凸面侧壁与所述第一间隔体的外凸面侧壁横向地相距小于所述第二间隔体的横向厚度的两倍的距离，所述横向厚度是沿着所述第一沟道层的长度定义的。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其中，所述第一晶体管的所述外延漏极结构和所述第二晶体管的外延源极结构合并。

4.根据权利要求3所述的晶体管，其中，所述外延源极结构和所述外延漏极结构包括硅和碳。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一间隔体包括硅、氧和碳，其中，碳与氧之比在3:1-10:1之间。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其中，所述第二间隔体包括硅、碳、氧和氮，其中，碳的原子百分比在3-5％之间，氧的原子百分比在25-40％之间，并且氮的原子百分比在10-20％之间。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的晶体管，其中，所述凸面侧壁与所述外延源极结构或所述外延漏极结构相邻，并且其中，所述第一间隔体包括相对于最下第一间隔体表面的基本上垂直的侧壁，其中，所述基本上垂直的侧壁与所述栅极相邻并且与所述凸面侧壁相对。

8.根据权利要求1-6中任一项所述的晶体管，其中，所述第一间隔体包括与所述栅极相邻的第一凸面侧壁和与所述源极和所述漏极结构相邻的第二凸面侧壁。

9.根据权利要求8所述的晶体管，其中，所述第二凸面侧壁在所述源极或所述漏极结构的主体内。

10.根据权利要求1-6中任一项所述的晶体管，其中，所述第一间隔体包括沿着所述第一沟道层或所述第二沟道层的长度的第一横向厚度，并且其中，所述第二间隔体包括沿着所述第一沟道层或所述第二沟道层的所述长度的第二横向厚度，并且其中，所述第一横向厚度在9nm和15nm之间，并且所述第二横向厚度在9nm和12nm之间。

11.根据权利要求10所述的晶体管，其中，所述第一横向厚度大于或小于所述第二横向厚度。

12.根据权利要求1-6中任一项所述的晶体管，其中，所述外延源极结构从所述第一沟道层的所述第一端延伸到所述第二沟道层，并且其中，所述外延漏极结构从所述第一沟道层的所述第二端延伸到所述第二沟道层，并且其中，所述外延源极结构和所述外延漏极结构包括Si和Ge，并且其中，所述凸面侧壁与所述栅极结构相邻。